电子技术 20.12工作原理 dianzI 形成正反馈过程 A B2 G BRic R C2 B,ig 三LB1 c1= C2 B2 G E A B1B2GG=IB2 EG 在极短时间内使两 个三极管均饱和导通, 此过程称触发导通。 EA>0、Ec>0 三日目剥返回上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 T1 T2 20.1.2 工作原理 A B2 G i = i C2 2 G B1 i = i = i 在极短时间内使两 个三极管均饱和导通， 此过程称触发导通。 C1 1 C2 i =β i 1 2 G B2 = i = i 形成正反馈过程 K G EA > 0、EG > 0 EG EA + _ R G i B2 i 1 2 G β β i 2 G β i
电子技术 2022工作原理 dianzI 形成正反馈过程 A B2 G BBiG R C2 B,ig 三LB1 c1= C2 B2 T E 2I B1B2GG=IB2 晶闸管导通后,去 掉EG,依靠正反馈, 仍可维持导通状态。 E> A 0、E G-0 临目章目剥返回止上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 晶闸管导通后，去 掉EG ， 依靠正反馈， 仍可维持导通状态。 20.2.2 工作原理 G EA > 0、EG > 0 K EA + _ R T1 T2 G i B2 i G ββ i 1 2 G β i 2 E G A B2 G i = i C2 2 G B1 i = i = i C1 1 C2 i =β i 1 2 G B2 = i = i 形成正反馈过程
晶闸管导通的条件 电子技术 dianzI 1.晶闸管阳极电路(阳极与阴极之间)施加正向 电压。 2.晶闸管控制电路(控制极与阴极之间加正向 电压或正向脉冲(正向触发电压) 晶闸管导通后,控制极便失去作用。依靠正反 馈,晶闸管仍可维持导通状态。 晶闸管关断的条件: 1.必须使可控硅阳极电流减小,直到正反馈效应 不能维持。 2.将阳极电源断开或者在晶闸管的阳极和阴极 间加反相电压。 临目章目剥返回止上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 晶闸管导通的条件： 1. 晶闸管阳极电路(阳极与阴极之间)施加正向 电压。 2. 晶闸管控制电路(控制极与阴极之间)加正向 电压或正向脉冲(正向触发电压)。 晶闸管导通后，控制极便失去作用。 依靠正反 馈，晶闸管仍可维持导通状态。 晶闸管关断的条件： 1. 必须使可控硅阳极电流减小,直到正反馈效应 不能维持。 2. 将阳极电源断开或者在晶闸管的阳极和阴极 间加反相电压
电子技术 2013伏安特性(I=∫(U)线) di F 正向平均电流 维持电流 G2G1 GO BR URRM FRMUBO U 反向转折电压 正向转折电压 反向特性 正向特性 临目章目剥返回止上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 反向特性 正向特性 URRM UFRM IG2 > IG1 > IG0 UBR IF UBO 正向转折电压 IH o U I IG0 IG1 IG2 + _ + 反向转折电压 _ 正向平均电流 维持电流 U 20.1.3 伏安特性 (I = f (U)曲线)
2014主要参数 电子技术 dianzI UPR:正向重复峰值电压(晶闸管耐压值) 晶闸管控制极开路且正向阻断情况下,允 许重复加在晶闸管两端的正向峰值电压。 般取U FRM 80%UB0 普通晶闸管UFRM为100V—3000V URRM:反向重复峰值电压 控制极开路时,允许重复作用在晶闸管元 件上的反向峰值电压。 一般取URRM=80%UB 普通晶闸管URw为100V-300V 临目章目剥返回止上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 20.1.4 主要参数 UFRM: 正向重复峰值电压（晶闸管耐压值） 晶闸管控制极开路且正向阻断情况下,允 许重复加在晶闸管两端的正向峰值电压。 一般取UFRM = 80% UB0 。 普通晶闸管 UFRM 为100V — 3000V 反向重复峰值电压 控制极开路时,允许重复作用在晶闸管元 件上的反向峰值电压。 一般取 URRM = 80% UBR 普通晶闸管 URRM为100V—3000V URRM：