第二章晶体生长的基本规律 参考资料 口秦善:晶体学基础。北京大学出版社。 ▣王文魁:晶体形貌学。中国地质大学出版 社 口(美)邦德:晶体工艺学。国防工业出版社 ▣闵乃本:晶体生长的物理基础。上海科学 技术出版社 目ξ 张克从:晶体生长。科学出版社 11 Crystallography 本理2火军 HANDONG UNIVERSITY OF TECHNOLO
Crystallography 第二章 晶体生长的基本规律 秦善:晶体学基础。北京大学出版社。 王文魁:晶体形貌学。中国地质大学出版 社 (美)邦德:晶体工艺学。国防工业出版社 闵乃本:晶体生长的物理基础。上海科学 技术出版社 张克从:晶体生长。 科学出版社 参考资料 11
第二章晶体生长的基本规律 2.1晶体的形成方式 12 Crystallography 2东理2头军
Crystallography 第二章 晶体生长的基本规律 2.1 晶体的形成方式 12
第二章晶体生长的基本规律 G 24晶体的形成方式 目 物质从其它状态转变为晶体的过程称为 结晶作用。主要包括以下几个方面: 口气相-晶体 ▣液相-晶体 ▣固相-晶体 13 Crystallography 2东理2火深 HANDONG UNIVERSITY OF TECHNOLO
Crystallography 第二章 晶体生长的基本规律 2.1 晶体的形成方式 物质从其它状态转变为晶体的过程称为 结晶作用。主要包括以下几个方面: 气相-晶体 液相-晶体 固相-晶体 13
第二章晶体生长的基本规律 G 2.1.1气-固结晶作用 口必要条件是:足够低的蒸汽压、较低 的温度。 14 Crystallography 2东罗尖军
Crystallography 第二章 晶体生长的基本规律 2.1.1 气-固结晶作用 必要条件是:足够低的蒸汽压、较低 的温度。 14
第二章晶体生长的基本规律 C 1.4×108Pa 153.7℃ 斜方晶体 液 一 10'pa 0.4Pa B 95.5℃ 119C P2 ▣硫的温度压力平衡图 15 Crystallography 2东理2火军 HANDONG UNIVERSITY OF TECHNOLO
Crystallography 第二章 晶体生长的基本规律 硫的温度压力平衡图 p1 p2 T c b 15