本征半导体的导电机理 A 空穴 ●A●〖自由电子 4 >冲 束缚电子 (1-12)
(1-12) +4 +4 +4 +4 本征半导体的导电机理 空穴 自由电子 束缚电子
本征半导体的导电机理 人人 在其它力的作用下 空穴吸引临近的电子 ④6●。来填补,这样的结果 相当于空穴的迁移 而空穴的迁移相当于 +4 正电荷的移动,因此 ③可以认为空穴是载流 子 (1-13
(1-13) 本征半导体的导电机理 +4 +4 +4 +4 在其它力的作用下， 空穴吸引临近的电子 来填补，这样的结果 相当于空穴的迁移， 而空穴的迁移相当于 正电荷的移动，因此 可以认为空穴是载流 子
本征半导体的导电机理 本征半导体中存在数量相等的两种载流 子,即自由电子和空穴。 本征半导体的导电能力取决于载流子的 浓度。 温度越高,载流孑的浓度越高。因此本 征半导体的导电能力越强,温度是影响半导 体性能的一个重要的外部因素,这是半导体 的一大特点
(1-14) 本征半导体的导电机理 本征半导体中存在数量相等的两种载流 子，即自由电子和空穴。 温度越高，载流子的浓度越高。因此本 征半导体的导电能力越强，温度是影响半导 体性能的一个重要的外部因素，这是半导体 的一大特点。 本征半导体的导电能力取决于载流子的 浓度
14.1.3条杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质, 就会使半导体的导电性能发生显著变化。 其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度 大大增加。 使自由电子浓度大大增加的杂质半导体 称为N型半导体(电子半导体),使空穴浓 度大大增加的杂质半导体称为P型半导体 (空穴半导体)
(1-15) 14.1.3 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质， 就会使半导体的导电性能发生显著变化。 其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度 大大增加。 使自由电子浓度大大增加的杂质半导体 称为N型半导体（电子半导体），使空穴浓 度大大增加的杂质半导体称为P型半导体 （空穴半导体）
N型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷 (或锑),晶体点阵中的某些半导体原子被 杂质取代,磷原子的最外层有五个价电子, 其中四个与相临的半导体原子形成共价键, 必定多出一个电子,这个电子几乎不受束缚 很容易被激发而成为自由电子,这样磷原子 就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原 子给出一个电子,称为施主原子
(1-16) N型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷 （或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被 杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子， 其中四个与相临的半导体原子形成共价键， 必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚， 很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子 就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原 子给出一个电子，称为施主原子