皿痛嘯林mMc半导体存储器 二、ROM的结构和工作原理 由存储距阵、地址译码器(和读出电路)组成 4×4二极管ROM的结构和工作原理动画演示 (一)存储矩阵 由存储单元按字(Word)和位(Bi)构成的距阵 KDEXIT
EXIT 半导体存储器 二、ROM 的结构和工作原理 4 4 二极管 ROM 的结构和工作原理动画演示 (一) 存储矩阵 由存储单元按字(Word)和位(Bit)构成的距阵 由存储距阵、地址译码器(和读出电路)组成
m痛嘯林 l Digital Circui 半导体存储器 1.存储矩阵的结构与工作原理 字线与位线的交叉 点即为存储单元。 每个存储单元可以 H2字存储1位二进制数。 W 线 交叉处的圆点 表示存储“1;交叉处 无圆点表示存储“0” 文稿 3 D0位线 当某字线被选中时, 0 相应存储单元数据从位 4×4存储矩阵结构示意图线D3~D输出。 单击鼠标请看演示 从位线输出的每组二进制代码称为一个字。一个 字中含有的存储单元数称为字长,即字长=位数。 KDEXIT
EXIT 半导体存储器 4 4 存储矩阵结构示意图 W3 W2 W1 W0 D3 D2 D1 D0 字 线 位线 字线与位线的交叉 点即为存储单元。 每个存储单元可以 存储 1 位二进制数。 交叉处的圆点 “ ” 表示存储 “1”；交叉处 无圆点表示存储“0”。 当某字线被选中时， 相应存储单元数据从位 线 D3 ~ D0 输出。 单击鼠标请看演示 1 0 1 1 1 0 1 1 从位线输出的每组二进制代码称为一个字。一个 字中含有的存储单元数称为字长，即字长= 位数。 W3 1. 存储矩阵的结构与工作原理
m痛嘯林 l Digital Circui 半导体存储器 2.存储容量及其表示 一般用“字数x字长(即位数)”表示 指存储器中存储单元的数量 例如,一个32×8的ROM,表示它有32个字 字长为8位,存储容量是32×8=256。 对于大容量的ROM 常用“K”表示“1024”,即1K=1024=210; 用“M”表示“1024K”,即1M=1024K=210K=220。 例如,一个64K×8的ROM,表示它有64K个字 字长为8位,存储容量是64K×8=512K。 EXIT
EXIT 半导体存储器 2. 存储容量及其表示 用“M”表示“1024 K”，即1 M = 1024 K = 210 K = 220 。 2. 存储容量及其表示 指存储器中存储单元的数量 例如，一个32 8 的 ROM，表示它有32 个字， 字长为 8 位，存储容量是 32 8 = 256。 对于大容量的ROM 常用“K”表示“1024”，即1 K = 1024 = 210 ； 例如，一个64 K 8 的 ROM，表示它有64 K 个字， 字长为 8 位，存储容量是 64 K 8 = 512 K。 一般用“字数 字长(即位数)”表示
m痛嘯林 l Digital Circui 半导体存储器 3.存储单元结构 (1)固定ROM的存储单元结构 DD CC 二极管 ROMTTL-RoM/MOs-Row 接半导体管后成为储1单元; 若不接半导体管,则为储0单元。 EXIT
EXIT 半导体存储器 3. 存储单元结构 3. 存储单元结构 (1) 固定 ROM 的存储单元结构 二极管 ROM TTL - ROM MOS - ROM Wi Dj Wi Dj VCC Wi Dj +VDD 1 接半导体管后成为储1 单元； 若不接半导体管，则为储0 单元
m痛嘯林 l Digital Circui 半导体存储器 (2)PROM的存储单元结构 DD 熔丝 CC 熔丝 熔丝 D 二极管ROM TTL- ROM MOS-ROM 全1(全0)。用户可借助编程工具将某些单元改写为0 (或1),这只要将需储0(或1)单元的熔丝烧断即可。 熔丝烧断后不可恢复,因此PROM只能一次编程。 EXIT
EXIT 半导体存储器 (2) PROM 的存储单元结构 PROM 出厂时，全部熔丝都连通，存储单元的内容为 全 1(或全 0) 。用户可借助编程工具将某些单元改写为0 (或 1) ,这只要将需储0(或 1)单元的熔丝烧断即可。 熔丝烧断后不可恢复，因此 PROM 只能一次编程。 二极管 ROM TTL - ROM MOS - ROM Wi Dj Wi Dj VCC Wi Dj +VDD 1 熔丝 熔丝 熔丝