3.2半导体二极管和三极管的开关特性四、双极型三极管开关特性+Vco利用三极管的饱和与截Rc止两种状态，合理选择电路Uo6参数，可产生类似于开关的RbCO闭合和断开的效果，用于输UiIB出高、低电平，即开关工作状态。e三极管开关电路假定：UIH-Vcc，UIL=Ou。=UsEs=UoL 一 开关闭合当ur=U时，三极管深度饱和，一 开关断开当u=U时,，三极管截止，, Uo=Vcc=UoH
3.2 半导体二极管和三极管的开关特性 四、双极型三极管开关特性 ui iB e Rb b +VCC iC uo 三极管开关电路 Rc c 利用三极管的饱和与截 止两种状态，合理选择电路 参数，可产生类似于开关的 闭合和断开的效果，用于输 出高、低电平，即开关工作 状态。 当uI =UIL时，三极管截止，uO=Vcc=UOH － 开关断开 假定：UIH=VCC ，UIL=0 当uI=UIH时，三极管深度饱和，uo=USEs=UOL － 开关闭合
3.2半导体二极管和三极管的开关特性3.2.3MOS管的开关特性MOS管结构MOS管是金属一氧化物一半导体场效应管的简称。(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)由于只有多数载流子参与导电，故也称为单极型三极管nPSs增强型增强型DDNPN型三极管ss耗尽型耗尽型PMOS管电路符号NMOS管电路符号
MOS管是金属—氧化物—半导体场效应管的简称。 （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor） 由于只有多数载流子参与导电，故也称为单极型三极管。 3.2 半导体二极管和三极管的开关特性 一、MOS管结构 3.2.3 MOS管的开关特性 NMOS管电路符号 PMOS管电路符号 b NPN 型三极管 c e
3.2半导体二极管和三极管的开关特性MOS管开关特性+VDDRD福1uiNMOS管的基本开关电路选择合适的电路参数，，则可以保证当ur=UI时，MOS管导通，一 开关闭合 u。=0=UoL一开关断开当ur=U时，MOS管截止,， Uo=VDD=UoH
3.2 半导体二极管和三极管的开关特性 二、MOS管开关特性 NMOS管的基本开关电路 G S iD D RD +VDD ui uo 当uI =UIL时，MOS管截止，uO=VDD=UOH － 开关断开 当uI=UIH时，MOS管导通，uo=0=UOL － 开关闭合 选择合适的电路参数，则可以保证
3.3分立元件门电路二极管与门VDuyVD2+Vcc(+5V)UAUBR0.7V导通导通OVOVVD10.7V导通截止OV5V4Aoy截止导通0.7V5VOVVD245V截止截止5V5VBoY-ABBYA000A&001YBO001111
3.3 分立元件门电路 一、二极管与门 +VCC(+5V) R Y VD1 A VD2 B A B Y & uA uB uY VD1 VD2 0V 0V 0V 5V 5V 0V 5V 5V 0.7V 0.7V 0.7V 5V 导通 导通 导通 截止 截止 导通 截止 截止 A B Y 0 0 0 1 1 0 1 1 0 0 0 1 Y=AB
3.3分立元件门电路二极管或门VVDVD2UAUBuyVD1截止#截止oVOVOV70B截止导通5VOV4.3VYVD2导通截止OV5V4.3VR导通导通4.3V5V5VY-A+BBYA000≥1AQ011OY011B0111
3.3 分立元件门电路 二、二极管或门 A VD1 B VD2 Y R A B Y ≥1 uA uB uY VD1 VD2 0V 0V 0V 5V 5V 0V 5V 5V 0V 4.3V 4.3V 4.3V 截止 截止 截止 导通 导通 截止 导通 导通 A B Y 0 0 0 1 1 0 1 1 0 1 1 1 Y=A+B