第3章门电路概述3.13.2半导体二极管和三极管的开关特性3.3分立元件门电路3.4TTL门电路3.5CMOS门电路
第3章 门电路 3.1 概述 3.2 半导体二极管和 三极管的开关特性 3.3 分立元件门电路 3.4 TTL门电路 3.5 CMOS门电路
概述3. 1门电路是用以实现逻辑关系的电子电路。分立元件门电路门电路双极型集成门（DTL、TTL)集成门电路NMOSMOS集成门PMOSCMOS
3.1 概述 门电路是用以实现逻辑关系的电子电路。 门 电 路 分立元件门电路 集成门电路 双极型集成门（DTL、TTL） MOS集成门 NMOS PMOS CMOS
概述3. 1正逻辑与负逻辑正逻辑：用高电平表示逻辑1，用低电平表示逻辑0负逻辑：月用低电平表示逻辑1，用高电平表示逻辑0在数字系统的逻辑设计中，若采用NPN晶体管和NMOS管，电源电压是正值，一般采用正逻辑。若采用的是PNP管和PMOS管，电源电压为负值则采用负逻辑比较方便。今后除非特别说明，一律采用正逻辑
正逻辑：用高电平表示逻辑1，用低电平表示逻辑0 负逻辑：用低电平表示逻辑1，用高电平表示逻辑0 在数字系统的逻辑设计中，若采用NPN晶体管 和NMOS管，电源电压是正值，一般采用正逻辑。 若采用的是PNP管和PMOS管，电源电压为负值， 则采用负逻辑比较方便。 今后除非特别说明，一律采用正逻辑。 3.1 概述 一、正逻辑与负逻辑
概述3. 1逻辑电平5VCC1高电平下限2VVVi低电平上限0.8VO0SOV实际开关为晶体二极管、三极管以及场效V,控制开关S的断应管等电子器件S断开，Vo为高电平；S接通，Vo为低电平
VI控制开关S的断、通情况。 S断开，VO为高电平；S接通，VO为低电平。 VI S Vcc Vo 3.1 概述 二、逻辑电平 1 0 5V 0V 0.8V 高电平下限 2V 低电平上限 实际开关为晶体二极 管、三极管以及场效 应管等电子器件
概述3. 1逻辑电平高电平U：输入高电平UiH输出高电平UoH低电平UL:输入低电平UL输出低电平UoL逻辑“0"和逻辑“1”对应的电压范围宽因此在数字电路中，对电子元件、器件参数精度的要求及其电源的稳定度的要求比模拟电路要低
逻辑电平 ❖ 高电平UH： 输入高电平UIH 输出高电平UOH ❖ 低电平UL： 输入低电平UIL 输出低电平UOL ❖ 逻辑“0”和逻辑“1”对应的电压范围宽， 因此在数字电路中，对电子元件、器件 参数精度的要求及其电源的稳定度的要 求比模拟电路要低。 3.1 概述