RC高通电路的频率特性 R R+1/joc 1+1jaRC 1-i fi lU令1RC=则=1nRC 1+(1/)2 = arctan f1/∫超前 ≥10f20g4|=0dB 20lg4=20lg0.7071=-3dBg=45° fs0.1f 201glAu=-20lgf/fH q≈90° 6
6 二、RC 高通电路的频率特性 R C RC R U U Au 1 1/j 1 1/ j i o + = + = = • • • f f L 1 j 1 - = 令 1/RC = L则 fL = 1/2RC = arctan f L / f 超前 1 ( / ) 1 2 L f f Au + = f 10 fL 20lg|Au | = 0 dB 0 f = fL 20lg|Au | = 20lg0.7071 = -3 dB = 45 f 0.1 fL 20lg|Au | = -20lg f / fH 90 R C Ui Uo • •
例51.1求已知一阶低通电路的上限截止频率 1 kQ 就维宁定理等 1/1kQ2 I ka 01p 0.01 2兀RC2×3.14×0.5k×001pF 318(kHz) 例5.2已知一阶高通电路的f=300Hz,求电容C 5 C 2T r 2 kS 2×3.14×300HZ×2500g =0212(μ
7 例 5.1.1求已知一阶低通电路的上限截止频率。 0.01 F 1 k 1 k 1//1 k 0.01 F RC f = 2 1 H 2 3.14 0.5 k 0.01 F 1 = = 31.8 (kHz) 例 5.1.2已知一阶高通电路的 fL = 300 Hz，求电容 C 。 500 C 2 k f R C L 2 1 = = 2 3.14 300 Hz 2500 1 = 0.212 (F) 戴维宁定理等效
课本P214 5.2晶体管的高频等效模型 、混合π型高频小信号模型 (1)物理模型 基区的体电阻,b是假想 的基区内的一个点。 re-发射结电阻 be--re归算到基极回路的电阻 发射结电容,也用C这一符号 bc-集电结电阻 双极型三极管 Cb--集电结电容,也用C这一符号 物理模型 8
8 双极型三极管 物理模型 （1）物理模型 rb'e--- re归算到基极回路的电阻 Cbe ---发射结电容，也用C这一符号 rbc ---集电结电阻 Cbc ---集电结电容，也用C这一符号 rbb' ---基区的体电阻，b'是假想 的基区内的一个点。 re --- 发射结电阻 一、混合π型高频小信号模型 课本P214 5. 2 晶体管的高频等效模型
课本P215 (2)混合π型微变等效电路 bo gml Cl e b e ce e C e 高频混合π型小信号模型电路图 e 简化: 咯n bo 为什么不考虑C? ce 9
9 高频混合π型小信号模型电路图 （2）混合π型微变等效电路 简化： 忽略rb’c 、 rce 课本P215 为什么不考虑C '' ？
(3)参数计算 b b C 课本P215 br 据rne=bh+ 8 b'e 26mV =b+(+β E (MA) bb ic b 26mV 得rne=(1+β g I(mA) Ce b'e e 据 gm vh=βIbI b'e 低 b'e 频 e。he令ate 得 βI(mA) ≈38.5c(mS) e 26mV 另C1 总mf是三极管的特征频率 另C1,是 b'c b'e 2TiT 手册上的CAA0
10 低 频 时 （3）参数计算 I (mA) 26mV r (1 ) r r r E b b e b b' b'e = + + 据 = + bb' be b'e E b'e r r r I (mA) 26mV r (1 ) = - 得 = + b'e b'e m b'e b b r V g V I I 据 = = 38.5I (mS) 26mV I (mA) r g C E b'e m = 得 = 另 T 是三极管的特征频率 T m f 2 f g b'e C = Cob b'c C 手册上的 另 是 课本P215