第10章具有51内核的8位单片机简介 2)掉电方式 掉电方式由掉电方式位PD(PCON.1)=1设置。此时,振 荡器停止工作,设置掉电方式的指令成为最后执行的一条指令, 片内RAM和特殊功能寄存器内容保持不变 在掉电方式下,Vcm2V。当Vc6V时, I=100A;当 Vc=3V时,Icma=20A 退出掉电方式的唯一方式是硬件复位。 硬件复位将重新定义特殊功能寄存器,但不影响片内RAM。 复位的保持时间应足够长,以便振荡器能重新开始工作并稳定 不来。在Ⅴc没有恢复到正常工作电压之前,不应进行复位。 如果不采用外部上拉,P1.0和P1.1应置“0”,否则置“1
第10章 具有51内核的8位单片机简介 2） 掉电方式由掉电方式位PD（PCON.1）=1设置。 此时, 振 荡器停止工作, 设置掉电方式的指令成为最后执行的一条指令, 片内RAM和特殊功能寄存器内容保持不变。 在掉电方式下, VCCmin=2V。当VCC =6V时, ICCmax =100 μA; 当 VCC =3 V时, ICCmax =20 μA。 退出掉电方式的唯一方式是硬件复位。 硬件复位将重新定义特殊功能寄存器, 但不影响片内RAM。 复位的保持时间应足够长, 以便振荡器能重新开始工作并稳定 下来。 在VCC没有恢复到正常工作电压之前, 不应进行复位。 如果不采用外部上拉, P1.0和P1.1应置“0”, 否则置“1”
第10章具有51内核的8位单片机简介 1016闪速存储器的编程 5V AT89c2051 RDY/BST+P3. PROG P32 P33 P 编程数据 P34 参阅闪速 编程模式表 3.5 P37 增量地址 计数器 「-xTAL1RST GND 图10.3编程闪速存储器
第10章 具有51内核的8位单片机简介 10.1.6 闪速存储器的编程 图 10.3 编程闪速存储器
第10章具有51内核的8位单片机简介 端口1 DATA IN DATA OUT VGL GHDX P3.2 (PROG) SHGL GHSL gOGH RST PP 逻辑1 逻辑0 上量 LOV EHQZ P3.4 (ENABLE) GHBL P3.1 (RDY/BSY) BUSY READY XTALI BHIH (增量地址) 图104闪速存储器编程和校验时序
第10章 具有51内核的8位单片机简介 图 10.4 闪速存储器编程和校验时序
第10章具有51内核的8位单片机简介 表10.45种编程模式 P3.2/ 编程模式 RST P3.3 P3.4 P3.5 P3.7 PROG 写代码数据 12V 读代码数据 H H HHH 写锁定位-1 12V 写锁定位-212v 芯片擦除 12V LLHHHL HLHHLL HHLHLL 读特征字节 H H
第10章 具有51内核的8位单片机简介 表 10.4 5种编程模式
第10章具有51内核的8位单片机简介 编程(写代码数据) AT89C2051编程按下述步骤进行 (1)上电过程:Vc加电,置RST为“L〃(低电平), XTAL1为“L,其它所有引脚悬空,等待10ms以上; (2)置RST为“H"(高电平),P32为“H"; (3)在引脚P3.3、P34、P3.5、P3.7上施加相应的逻辑 电平,选定基本编程模式
第10章 具有51内核的8位单片机简介 一、 编程（写代码数据） AT89C2051编程按下述步骤进行: （1） 上电过程: VCC加电, 置RST为“L”（低电平）, XTAL1为“L” , 其它所有引脚悬空, 等待10 ms以上; (2） 置RST为“H”（高电平）, P3.2为“H”; (3） 在引脚P3.3、P3.4、P3.5、P3.7上施加相应的逻辑 电平, 选定基本编程模式;