第10章具有51内核的8位单片机简介 表10.1P3口特殊功能 P3口引脚 特殊功能 P3.0 RXD(串行输入口) P3.1 TXD(串行输出口) P3.2 NT0(外部中断0) P3.3 ITI(外部中断1) P3.4 T0(定时器0外部输入) P3.5 T1(定时器1外部输入)
第10章 具有51内核的8位单片机简介 表 10.1 P3口特殊功能
第10章具有51内核的8位单片机简介 10.13特殊功能寄存器SFR OFFH OFOH 00000000 OE8H OEFH 表 OOH ACC OE7H 00000000 D8H ODOH OD7H 2 00000000 )C8H OCFH OB8H IP 89 OBFH x00000000 OBOH 20 11111111 51 OAFH 0AOH 0A7H SBUF 9FH 00000000 XXXXXXXX 97H 11111111 88H TCON TMOD TLO TL1 TH1 0000000000000000000000000 80H 87H 000011100000000000 00000000
第10 章 具有51内核的 8位单片机简介 10.1.3 特殊功能寄存器SFR 表 10. AT 2 89C 20 51的SFR
第10章具有51内核的8位单片机简介 1014程序存储器的加密 表10.33种锁定位保护模式 保护模式 编程锁定位LB1 LB2 说明 没有编程锁定特性 23 UPP UUP 禁止对闪速存储器进一步编程 同模式2,同时禁止校验
第10章 具有51内核的8位单片机简介 10.1.4 程序存储器的加密 表 10.3 3种锁定位保护模式
第10章具有51内核的8位单片机简介 10.1.5低功耗工作方式 1)待机方式(休眠方式) 当利用软件使待机方式位IDL(PCON0)=0时,单片机 进入空闲方式。此时,CPU处于休眠状态,而片内所有其它外 围设备都保持工作状态,片内RAM和所有特殊功能寄存器内 容保持不变 在待机方式下,当晶振fsC=12MHz,电源电压Vc=6V时, 电源电流Ic从20mA降至5mA,而Vce=3V时,lc5.5mA降 至mA。 中断或硬件复位可以终止待机方式
第10章 具有51内核的8位单片机简介 10.1.5 低功耗工作方式 1） 待机方式（休眠方式） 当利用软件使待机方式位IDL（PCON.0）=0时, 单片机 进入空闲方式。此时, CPU处于休眠状态, 而片内所有其它外 围设备都保持工作状态, 片内RAM和所有特殊功能寄存器内 容保持不变。 在待机方式下,当晶振fOSC =12 MHz, 电源电压VCC =6 V时, 电源电流ICC从20 mA降至 5 mA; 而VCC =3 V时, ICC由5.5 mA降 至1 mA。 中断或硬件复位可以终止待机方式
第10章具有51内核的8位单片机简介 当待机方式由硬件复位终止时,CPU要从休眠处恢复程 序的执行,执行2个机器周期后,内部复位电路才起作用。 此时,硬件禁止访问内部RAM,但允许访问端口引脚。为了 防止休眠被复位终止时对端口引脚意外写入的可能性,在生 成待机方式的指令后不应紧跟对端口引脚的写指令。 如果不采用外部上拉,P1.和P1.1应置“03,如果采用外 部上拉,则应置“1
第10章 具有51内核的8位单片机简介 当待机方式由硬件复位终止时, CPU要从休眠处恢复程 序的执行, 执行 2个机器周期后, 内部复位电路才起作用。 此时, 硬件禁止访问内部RAM, 但允许访问端口引脚。 为了 防止休眠被复位终止时对端口引脚意外写入的可能性, 在生 成待机方式的指令后不应紧跟对端口引脚的写指令。 如果不采用外部上拉, P1.0和P1.1应置“0”; 如果采用外 部上拉, 则应置“1