三、杂质半导体的符号 O P烈半导体 N型半导体
(1-16) 三、杂质半导体的符号 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P 型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N 型半导体
总结 1.本征半导体中受激产生的电子很少。 2.N烈半导体中电子是多子,其中大部分是掺条提供 的电子,N烈半导体中空穴是少子,少子的迁移也 能形成电流。由于数量的关系。起导电作用的主 要是多子。近似认为多子与条质浓度相誉。 3.P型半号体中空穴是多子,电子是少
(1-17) 总 结 2.N型半导体中电子是多子，其中大部分是掺杂提供 的电子，N型半导体中空穴是少子，少子的迁移也 能形成电流，由于数量的关系，起导电作用的主 要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。 3.P型半导体中空穴是多子，电子是少子。 1. 本征半导体中受激产生的电子很少
152PN结 15.2.1PN结的形成 在同一片半忌体基片上。分别制造P烈半与 体和N型半导体,经过流子的扩散,在它们的 交界面处就形成PW结。 1-18
(1-18) 15.2.1 PN 结的形成 在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导 体和N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的 交界面处就形成了PN 结。 15.2 PN结
内电场越强。漂移运动 越强,而瀑移使空间电 荷区变簿。 漂移运歌 P烈半导体 电杉N型半导体 99⊙守 999999④傅q 空间电荷区, 扩的结果是使空间电 也称耗尽层。 扩散运动荷区還渐加宽。 1-19
(1-19) P 型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N 型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场E 漂移运动 扩散的结果是使空间电 荷区逐渐加宽。 内电场越强，漂移运动 越强，而漂移使空间电 荷区变薄。 空间电荷区， 也称耗尽层
漂移运动 P半导体 N烈半导体 内电场E ,⊕,⊕,⊕ 所以扩散和溟移这一对相反的运动最终达到平衡 相当于两个区之间没有电荷运动。空间电荷区的厚 度固定不变 (1-20)
(1-20) 漂移运动 P型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N 型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场E 所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡， 相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚 度固定不变