本征半导体中电流由两部分组成 1.自由电子移动产生的电流。 2.空穴移动产生的电流。 本征半导体的导电能力取决于載流子的浓度。 温度越高,敢涴子的浓度越高。因此本征半 导体的导电能力越强。温度是影响半忌体性 能的一个重要的外部因素,这是半导体的一 大特点。 (在本征半导体中自由电子和空穴成对出现, 同时又不断的复合) 1-1)
(1-11) 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半 导体的导电能力越强，温度是影响半导体性 能的一个重要的外部因素，这是半导体的一 大特点。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。 （在本征半导体中 自由电子和空穴成对出现， 同时又不断的复合）
15.1.2条质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质,就会 使半导体的导电性能发生显瞢变化。其原因是掺 条半导体的棊种载流子浓度大大增加。 N型半导体:自由电子浓度大大增加的杂质半导体, 也称为(电子半导体)。 P烈半导体:空穴浓度大大增加的杂质半忌体。也 称为(空穴半导体)。 1-12)
(1-12) 15.1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会 使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺 杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也 称为（空穴半导体）。 N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体， 也称为（电子半导体）
N烈半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷 晶体中的某些半忌体原子被条质取代。磷原 子的最外层有五个价电子,其中四个与相郐 的半导体原子形成共价键。必定多出一个电 子,这个电子几爭不觉東缚。很容易被激发 而成为自由电子,这样磷原子就成了不能移 动的带正电的离子。 1-13)
(1-13) 一、N 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷， 晶体中的某些半导体原子被杂质取代，磷原 子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻 的半导体原子形成共价键，必定多出一个电 子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发 而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移 动的带正电的离子
多余 >⑩ 电子 +4 +4 N烈半导体中 的敦流子是什 么? +5 +4 磷原子以 2以人 1.由磷原子提供的电子,浓度与磷原子相同。 2.本征半导体中成对产生的电子和空穴。 摻条浓度远大于本征半导体中敢流子浓度。所以,自 由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流 子(多子),空穴称为少数敢流子(少子)。 1-14
(1-14) +4 +4 +5 +4 多余 电子 磷原子 N 型半导体中 的载流子是什 么？ 1.由磷原子提供的电子，浓度与磷原子相同。 2.本征半导体中成对产生的电子和空穴。 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自 由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流 子（多子），空穴称为少数载流子（少子）
二、P型半导体 在硅猪晶体中掺入少量的三价元素,如硼 (或铟),晶体点阵中的某些半导体原子被杂质 取代。硼原子的最外层有三个价电子,与相邻的 空穴A 半导体原子形成失价键时, +4 +4 产生一个空央。这个空穴 可能吸引東缚电子来填补, 使得硼原子成为不能移动 +3 +4)P 的带负电的离子。 硼原子p9<5At P型半导体中空穴是多子,电子是少守。 1-15
(1-15) 二、P 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼 （或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质 取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的 半导体原子形成共价键时， 产生一个空穴。这个空穴 可能吸引束缚电子来填补， 使得硼原子成为不能移动 的带负电的离子。 +4 +4 +3 +4 空穴 硼原子 P 型半导体中空穴是多子，电子是少子