第三章半导体中的光现象 >复折射率的实部和虚部n=n+k E(z,t)=E:epli(o- 2元元z)川 -Exp:)explita- 2元版川 I(z,t)=E2(z,t)( 该指数项 左右吸收 4xk Q= 九
➢ 复折射率的实部和虚部 第三章 半导体中的光现象 nz )] 2 z )exp[i( t 2 k E exp( nz )] 2 ~ E(z,t ) E exp[i( t 0 0 0 x 0 0 x = − − = − n n ik ~ = + 0 4 k = I(z,t ) E (z,t ) 2 = 该指数项 左右吸收
第三章半导体中的光现象 >辐射复合和非辐射复合 光谱宽、光 电子的几种跃迁方式 强弱、相位& 偏振没特色 光放大 相干性 (a) (b) (c 电子在能级间的跃迁 (a)受激吸收，(b)受激发射，(c)自发发射；(d)发射声子 光探测的 激光器的 物理机制 物理机制
➢ 辐射复合和非辐射复合 第三章 半导体中的光现象 光探测的 物理机制 激光器的 物理机制 电子的几种跃迁方式 光谱宽、光 强弱、相位& 偏振没特色 光放大 相干性
第三章半导体中的光现象 >辐射复合和非辐射复合 E2 E Ec 电子能带间的跃迁 E21=hv Ev E 电子在半导体能带间的跃迁
➢ 辐射复合和非辐射复合 第三章 半导体中的光现象 电子能带间的跃迁