下篇模拟电子技术 第6章半导体器件 常用的半导体器件有二极管、三极管和场效应管 本章重点介绍常用半导体器件的结构,伏安特性和主 要参数 半导体器件是构成电子电路的最基本单元。掌握半 导体器件的特征是分析电子电路的基础
第6章 半导体器件 常用的半导体器件有二极管、三极管和场效应管， 本章重点介绍常用半导体器件的结构，伏安特性和主 要参数。 半导体器件是构成电子电路的最基本单元。掌握半 导体器件的特征是分析电子电路的基础。 下篇 模拟电子技术
61半导体 导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 611半导体的三个特性 1热敏特性和光敏特性 +。···4 价电 在加热或光照加强时,半导 9· 空穴 体的阻值显著下降,导电能力 图6.1半导体内部结构示意图 增强类似于导体 半导体具有热敏特性和光敏特性是由半导体的内部结构 所决定的。如图61所示
导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 6.1.1 半导体的三个特性 1.热敏特性和光敏特性 在加热或光照加强时，半导 体的阻值显著下降，导电能力 增强类似于导体。 半导体具有热敏特性和光敏特性是由半导体的内部结构 所决定的。如图6.1所示。 6.1 半导体
2掺杂特性 如果在半导体里掺入少量外层电子只有三个 的硼元素,和外层电子数是四个的硅或锗原子组 成共价键时,就自然形成一个空穴,这就使半导 体中的空穴载流子增多,叫空穴型半导体,简称 P型半导体。 如果在半导体中掺入少量外层电子为五个的 磷元素,在和半导体原子组成共价键时,就多出 个电子。这种电子为多数载流子的半导体叫电 子型半导体,简称N型半导体
2.掺杂特性 如果在半导体里掺入少量外层电子只有三个 的硼元素，和外层电子数是四个的硅或锗原子组 成共价键时，就自然形成一个空穴，这就使半导 体中的空穴载流子增多，叫空穴型半导体，简称 P型半导体。 如果在半导体中掺入少量外层电子为五个的 磷元素，在和半导体原子组成共价键时，就多出 一个电子。这种电子为多数载流子的半导体叫电 子型半导体，简称N型半导体
612PN结 PN结的形成 在一块纯净的半导体晶片上, 采用特殊的掺杂工艺,在两侧分 F区P眍 别掺入三价元素和五价元素。 /°。ee;· 十;e:… ooo⊙@;: 侧形成P型半导体,另一侧形成 内电场 N型半导体,如图6.2所示。 图6.2PN结的形成 在结合面的两侧分别留下了 不能移动的正负离子,呈现出 个空间电荷区。这个空间电荷区 就称为PN结
1.PN结的形成 在一块纯净的半导体晶片上， 采用特殊的掺杂工艺，在两侧分 别掺入三价元素和五价元素。一 侧形成P型半导体，另一侧形成 N型半导体，如图6.2所示。 在结合面的两侧分别留下了 不能移动的正负离子，呈现出一 个空间电荷区。这个空间电荷区 就称为PN结。 6.1.2 PN结
2PN结的单向导电性 变窄 ⊙⊙GG 内电场 内电场 外电场 外电场 R (a)PN结正偏 (b)PN结反偏 图6.3PN结的单向导电性 PN结正偏(P+N一)导通,反偏(PN+) 载止,具有单向导电性
PN结正偏（P＋N－）导通，反偏（P－N＋） 载止，具有单向导电性。 2.PN结的单向导电性