大 速率 其中:P--临界核坯的生长速率 D--相邻原子的跃迁速率 过冷度AT=TM-T 方面:AT粘度质点运 △T 动困难,难于扩散到晶核表面, 不利于成核和长大。 另一方面:AT质点动能质点间引力容易 聚集吸附在晶核表面,对成核有利。 论)Mv呈极值变化
Iv= P * D 其中：P－－临界核坯的生长速率 D－－相邻原子的跃迁速率 D P Iv T 速 率 一方面： T 粘度 质点运 动困难，难于扩散到晶核表面， 不利于成核和长大。 另一方面： T 质点动能 质点间引力 容易 聚集吸附在晶核表面，对成核有利。 结 论 Iv呈极值变化 过冷度T = TM－T
U=BeXp(-△Ga/kT)*[1-Bexp(-△GvkT) ①项 ②项 其中:①项--质点长程迁移的影响 ②项--与ΔGVv有关,晶体态和玻璃态两项自 由能差.△GV=AHAT/e 速率 装)U呈极值变化 △T
U=Bexp(-Ga/kT) * [1- Bexp(-Gv/kT)] 其中： ①项－－质点长程迁移的影响 ②项－－与Gv有关，晶体态和玻璃态两项自 由能差. Gv＝ H T/Te ①项 ②项 T ① U ② 结 论 U呈极值变化 速 率
总析晶速率 1、过冷度太小或过大,对成核和生长均不利。只有在 一定过冷度下才能有最大的和u。 (A)△T (B)△T 析晶区
IV u IV (B) T 析晶区 总析晶速率－－ 1、过冷度太小或过大，对成核和生长均不利。只有在 一定过冷度下才能有最大的IV和u 。 (A) T u u IV IV
2、I和u两曲线重叠区,称析晶区,在此区域内,I 和u都有一个较大的数值,既有利成核,又有利生长。 A)△T (B) AT 析晶区
IV u IV (B) T 析晶区 (A) T u u IV IV 2、IV和 u两曲线重叠区，称析晶区，在此区域内，IV 和 u都有一个较大的数值，既有利成核，又有利生长
3、两侧阴影区为亚稳区。左侧ΔT太小,不可能自发成 核,右侧ΔT太大,温度太低,粘度太大,质点难以移动 无法形成晶相。亚稳区为实际不能析晶区 A)△T (B) AT 析晶区
IV u IV (B) T 析晶区 (A) T u u IV IV 3、两侧阴影区为亚稳区。左侧T 太小，不可能自发成 核，右侧 T太大，温度太低，粘度太大，质点难以移动 无法形成晶相。亚稳区为实际不能析晶区