二、动态特性1、二极管的电容效应二极管存在结电容C.和扩散电容Cp，C,和Cp的存在极大地影响了二极管的动态特性，无论是开通还是关断伴随着C;、Cp的充、放电过程，都要经过一段延迟时间才能完成。2、二极管的开关时间下图所示是一个简单的二极管开关电路及相应的u和41i的波形。UHD立0UuUHDipUOtofr=t(b)(a)(2-11)
二、动态特性 1、二极管的电容效应 二极管存在结电容Cj和扩散电容CD， Cj和CD的存在 极大地影响了二极管的动态特性，无论是开通还是关断， 伴随着Cj、CD的充、放电过程，都要经过一段延迟时 间才能完成。 2、二极管的开关时间 下图所示是一个简单的二极管开关电路及相应的uI和 iD的波形。 （2-11）
ui4UHD立0UyUHiDr4ipUIL1.Lof=(a)(b)（1）开通时间当输入电压u由U.跳变到U时，二极管D要经过延迟时间tg上升时间t之后，才能由截止状态转换到导通状态。半导体二极管的开通时间为：ton=ta十t,(2）关断时间当输入电压u由U跳变到U，时，二极管D要经过存储时间t、下降时间（也称为渡越时间）t之后，才能由导通状态转换到截止状态。半导体二极管的关断时间为：tofft,十t(2-12)
⑴ 开通时间 当输入电压uI由UIL跳变到UIH时，二极管D要经过延迟时间td、 上升时间t r之后，才能由截止状态转换到导通状态。半导体二极管 的开通时间为：ton =td＋t r ⑵ 关断时间 当输入电压uI由UIH 跳变到UIL时，二极管D要经过存储时间t s、 下降时间（也称为渡越时间）t f之后，才能由导通状态转换到截止 状态。半导体二极管的关断时间为：toff=t s＋t f （2-12）
3.1. 3半导体三极管的开关特性+Ucc+UccRc3VRu。 u~ 03VOVuoRBu.o+Ucc截止OVRUoUo~ Ucc相当于开关断开(2-13)
3.1.3 半导体三极管的开关特性 截止饱和 3V 0V uO 0 相当于 开关断开 uO UCC +UCC ui RB RC uO T uO +UCC RC E C uO +UCC RC E C 3V 0V （2-13）
一、静态特性1、结构示意图、符号和输入、输出特性半导体三极管的结构示意图、符号如下图所示集电极N集电区ic基极J1bP基区CEIBJ2tieUBE发射区N发射极(b)(a)(2-14)
一、静态特性 1、结构示意图、符号和输入、输出特性 半导体三极管的结构示意图、符号如下图所示。 （2-14）
半导体三极管的输入、输出特性如下图所示ig/uAAic/mA过流区oVZXZUCE=IV120V12过损耗区正向导通区ig=80μA反向截止区饱和区LUUBR0.7Y,40uA放大区SS0.5UBEN4过压区20反向击穿区截止区、M死区3010200401ucE/N图2.1.7硅三极管的输人特性图2.1.8硅三极管的输出特性输入特性指的是基极电流和基极-发射极间电压UBE之间的关系曲线。输出特性指的是基极电流i和集电极-发射极间电压ucE之间的关系曲线。在数字电路中，半导体三极管不是工作在截止区，就是工作在饱和区，而放大区仅仅是一种瞬间即逝的工作状态。(2-15)
半导体三极管的输入、输出特性如下图所示。 输入特性指的是基极电流iB和基极-发射极间电压 uBE之间的关系曲线。 输出特性指的是基极电流iC和集电极-发射极间电压 uCE之间的关系曲线。在数字电路中，半导体三极管不 是工作在截止区，就是工作在饱和区，而放大区仅仅 是一种瞬间即逝的工作状态。 （2-15）