西安电子科技大学：《微波技术》课程教学资源（PPT课件讲稿）第三十四章 耦合腔 Coupled Cavity

、Z方向导体的端壁损耗 式(34-5)是良导体填充啪的被精确表达式,考虑 到|0可知 ≈JoG (34-6) 再一次回忆 Maxwel方程vxE=-1o1H H x 0E.0

一、z方向导体的端壁损耗 式(34-5)是良导体填充 的 波精确 表达式，考虑 到 可知  TE10  j a   ≥       2   2  j (34-6) 再一次回忆Maxwell方程   = −   E jH H j i j k x y E t j E t = − = t 1 0 0           

、Z方向导体的端壁损耗 于是有 E op H 34-7) 其中负号是方向,为方向所致 E,, au ou √ 0(1+ H 20

一、z方向导体的端壁损耗 于是有 − = E H j t t   (34-7) 其中负号是 E 为 方向， y 为 H 方向所致 x Z ( ) E H j j j m t t = − = = = +      2 1

、Z方向导体的端壁损耗 也即 R+Bn=(2(+ 20 (34-8) 由于良导体近似条件,导体的波阻抗与平面波 相同

也即 Zm = Rm + jxm = ( + j)  2 1 (34-8) 由于良导体近似条件，导体 波的波阻抗与平面波 相同。 TE10 一、z方向导体的端壁损耗