A(=Lp(r)e dr A(g)P(r4.2 sin r, Po[ 4 ursin gr)dr gr q 分部积分:A(q)=PV 3(sin gr-gR cos q R (gr) /(q)=P6V 9(sin gr-gRcos gR (gR
− = V i A q r e dr qr ( ) ( ) = = R r qr dr q dr qr qr A q r r 0 0 0 2 4 sin( ) sin ( ) ( )4 分部积分： 0 3 ( ) 3(sin cos ) ( ) qR qr qR qR A q V − = 6 2 2 2 0 ( ) 9(sin cos ) ( ) qR qr qR qR I q V − =
细棒状粒子 1(q)=123 Si(gl) 1-COS qL qL q sin u S(x)为正弦积分函数:S(x)= 薄盘状粒子 1(q)=02、3 J,(2gR) R gR
细棒状粒子 − = − qL qL Si qL qL I q V 1 cos ( ) 2 ( ) 2 2 0 薄盘状粒子 = − qR J qR q R I q V (2 ) 1 2 ( ) 1 2 2 2 2 0 Si(x)为正弦积分函数： du u u Si x x = 0 sin ( )
不规则粒子的散射强度(含高分子链) Guinier law: I(q)=p2v2e39?) po为散射长度密度,v为粒子体积
不规则粒子的散射强度（含高分子链） = − 2 2 2 2 0 3 1 ( ) exp Rg I q v q Guinier Law： 0为散射长度密度，v为粒子体积
适用范围 Guinier law: I(q (g)=pv2exp 3 1/R In /(=hn pov--9r 8=-R2/3 以nI(q)对q2作图,斜率为-R23
= − 2 2 2 2 0 3 1 ( ) exp Rg I q v q Guinier Law： 2 2 2 2 0 3 1 ln ( ) ln Rg I q = v − q 以lnI(q)对q 2作图，斜率为-Rg 2 /3 I(q) 1/R q lnI tg = -R2 /3 q 2 适用范围
Guinier law成立的条件 1.q远小于1/R2 2.体系很稀,粒子独立散射 3.粒子无规取向,体系各向同性 4.基体(溶剂)密度均匀 实际工作中条件4很难满足,故应将溶剂散射扣除
Guinier Law成立的条件： 1. q远小于1/Rg 2. 体系很稀，粒子独立散射 3. 粒子无规取向，体系各向同性 4. 基体(溶剂)密度均匀 实际工作中条件4很难满足，故应将溶剂散射扣除