反向传输过程:假设发射结零偏、集电结正偏,集电结产生的 正偏电流I经基区复合、传输、发射结漂移转化成发射极电 流αIR 因此,合成的发射极电流IE=I-(方向为流出发射极) 合成的集电极电流 R (方向为流入集电极) P lE aLfIE oooo R RI
反向传输过程：假设发射结零偏、集电结正偏，集电结产生的 正偏电流IR经基区复合、传输、发射结漂移转化成发射极电 流R IR 。 因此，合成的发射极电流 IE = IF — R IR （方 向为流出发射极） 合成的集电极电流 IC = F IF —IR （方向为流入集电极） N+ P N R1 R2 IF IB I IC E F IF IR R IR
可见,在饱和模式下, 已不在具有放大模式下的 E 和c将迅速减小。 而由于基区复合电流的增·Mca 于放大模式下的数值。 饱和模式下,三极管相 两个导通电压来表示, E 其数值稍大于放大模式下的导通电压,近似分析时,可不加以 区别,统一用导通电压表示。如动画图所示。 由于集电结是低掺杂的(内建电位差与掺杂浓度成正比 故其导通电压低于发射结导通电压,一般取: e(sat) BE (on) 0.7V BC(sat V BC (on) =0.4V 这样,共发射极连接时ⅤcE(s)=0.7V-04V=0.3V
可见，在饱和模式下， IE和IC将同时受两个结正偏电压的控制， 已不在具 有放大模式下的正向受控作用，且随着VBC的增加， IE 和IC将迅速减小。 而由于基区复合电流的增加和空穴电流的增加，基极电流IB将大 于放大模式下的数值。 饱和模式下，三极管相当于两个正向偏置的二极管，可近似用 两个导通电压来表示，称为饱和导通电压VBE（sat）和VBC（sat） ， 其数值稍大于放大模式下的导通电压，近似分析时，可不加以 区别，统一用导通电压表示。如动画图所示。 由于集电结是低掺杂的（内建电位差与掺杂浓度成正比）， 故其导通电压低于发射结导通电压，一般取： VBE（sat） VBE（on） =0.7V VBC（sat）VBC（on） =0.4V 这样，共发射极连接时VCE（sat） = 0.7V—0.4V = 0.3V VBE（sat） VCE（sat） - - + +