图解法:不合适的偏饣电路 i输入浪 形 Q点过高,信号进入饱 和区 CE 放大电路产生 饱和失真 输出浪形 0
iC uCE Q点过高，信号进入饱 和区 放大电路产生 饱和失真 ib 输入波 形 uo 输出波形 图解法：不合适的偏置电路
图解法:不合峾的偏量电路 C Q点过低,信号进入 截止区 输入波形\ib 放大电路产生 CE 截止失真 0 输出浪形
iC uCE uo Q点过低，信号进入 截止区 放大电路产生 截止失真 输出波形 输入波形 ib 图解法 ：不合适的偏置电路
静态工作点的稳定性 为了保证放大电路的稳定工作,必须有合适的 稳定的静态工作点。但是,温度的变化严重影响静 态工作点。 对于前面的电路(固定偏置电路)而言,静态工 作点由UBE、B和ICE决定,这三个参数随温度而 变化,温度对静态工作点的影响主要体现在这一方 面。 BE B Q CEO
静态工作点的稳定性 为了保证放大电路的稳定工作，必须有合适的、 稳定的静态工作点。但是，温度的变化严重影响静 态工作点。 对于前面的电路（固定偏置电路）而言，静态工 作点由UBE、 和ICEO 决定，这三个参数随温度而 变化，温度对静态工作点的影响主要体现在这一方 面。 T UBE ICEO Q
温度对的静恋工作点的影响 、温度对U的影响 T↑ 载流子的 运动加剧 一→对相同的Ig:UE↓(-2mv℃) 其效应是使输出特性向左移△UBE=18~2.5mv/°C △T B 50°C 25°C EC-UBE B R B BE B Q点上移 BE
iB uBE 25ºC 50ºC T UBE IB IC 温度对的静态工作点的影响 一、温度对UBE的影响 T↑ 其效应是使输出特性向左移 载流子的 运动加剧 对相同的IB：→UBE↓（-2mv/℃） B C BE B R E U I − = Q点上移 mv C T UBE = − (1.8 ~ 2.5) /
温度对的静恋工作点的影响 二、温度对ICB的影响 cBo是基区和集电区的少子形成的 CBO (T)=I 温度每升高10℃, CBO CBO 10° L I大约增大1倍。 又: CEO (1+β) BO T1+-m01→lo C 温度上升时 CBO 硅<< CBO 锗 渝出特性曲线 硅管工作比锗管稳 士移,造成点定,因此,在高温场 上移。 合,硅管应用广泛 uCE
二、温度对ICBO的影响 T ICBO ICQ iC uCE Q Q´ 温度上升时， 输出特性曲线 上移，造成Q点 上移。 温度对的静态工作点的影响 ICBO是基区和集电区的少子形成的 温度每升高10℃， ICBO大约增大1倍。 ICBO（T）=ICBO（T0）·2 C T T − 10 0 又： ICEO =（1+β）ICBO ∴ T ↑→ICEO↑ ∵ICBO硅<< ICBO锗 ∴硅管工作比锗管稳 定，因此，在高温场 合，硅管应用广泛