光电倍增管MT基本特性参数 6、噪声:光电倍增管的噪声主要有散粒噪声和热噪声, 尤其是散粒噪声 7、最小可探测功率(NEP):取决于散粒噪声和PMT的放大 特性
光电倍增管(PMT)基本特性参数 6、噪声：光电倍增管的噪声主要有散粒噪声和热噪声， 尤其是散粒噪声。 7、最小可探测功率(NEP)：取决于散粒噪声和PMT的放大 特性
光电倍增管供电 高压供电:为了使光电倍增管能正常工作,通常需要在阴极和 阳极之间加上近千伏的高压。同时还需要在阴极、聚焦极 倍增极和阳极之间分配一定的极间电压,保证光电子能被 有效收集,光电流通过倍增极系统得到放大。最常用的分 压器是釆用一组电阻(电阻链)跨接在阴极与阳极间。 供电电压的极性:一般的分压电路中采用阳极接地,负高压供 电。这种供电方式的好处是可消除外部信号输出电路与阳 极之间的电位差;其缺点是由于靠近管子玻壳的金属支架 或磁屏蔽筒接地,它们与阴极和倍增极之间存在较髙的电 位差,结果使某些光电子打到玻壳上产生噪声
光电倍增管供电 高压供电：为了使光电倍增管能正常工作，通常需要在阴极和 阳极之间加上近千伏的高压。同时还需要在阴极、聚焦极、 倍增极和阳极之间分配一定的极间电压，保证光电子能被 有效收集，光电流通过倍增极系统得到放大。最常用的分 压器是采用一组电阻(电阻链)跨接在阴极与阳极间。 供电电压的极性：一般的分压电路中采用阳极接地，负高压供 电。这种供电方式的好处是可消除外部信号输出电路与阳 极之间的电位差；其缺点是由于靠近管子玻壳的金属支架 或磁屏蔽筒接地，它们与阴极和倍增极之间存在较高的电 位差，结果使某些光电子打到玻壳上产生噪声
光电导效应与光敏电阻 光电导效应:物质吸收光子后,电阻减小 器件:光敏电阻利用光电导效应制成。根据 半导体材料的分类,将光敏电阻分为 两种类型一本征型半导体光敏电阻和 掺杂型半导体光敏电阻 材料:半导体或绝缘体(CdS、PbS),金属无 光电导效应
2、光电导效应与光敏电阻 光电导效应：物质吸收光子后，电阻减小。 器件：光敏电阻利用光电导效应制成。根据 半导体材料的分类，将光敏电阻分为 两种类型—本征型半导体光敏电阻和 掺杂型半导体光敏电阻； 材料：半导体或绝缘体(CdS、PbS) ，金属无 光电导效应
光敏电阻分类: A.本征型:只有当入射光子的能量h等于或大于半导体材 料的禁带宽度E时才能激发电子空穴对,在外加的电场 作用下形成光电流。这种本征光电导效应可用来检测可 见光和近红外辐射 B.掺杂型:如n型半导体,光子的能量只要大于杂质的电 离能就能把施主杂质能级上的电子激发到导带而形成导 电电子,在外加电场的作用下形成光电流。目前大都使 用n型半导体光敏电阻。为了减少杂质能级上电子的热 激发,常需要在低温下工作。这种效应可以检测波长较 长的辐射。主要用于超过5微米的波段
光敏电阻分类： A. 本征型：只有当入射光子的能量hν等于或大于半导体材 料的禁带宽度Eg时才能激发电子空穴对，在外加的电场 作用下形成光电流。这种本征光电导效应可用来检测可 见光和近红外辐射。 B. 掺杂型：如n型半导体，光子的能量只要大于杂质的电 离能就能把施主杂质能级上的电子激发到导带而形成导 电电子，在外加电场的作用下形成光电流。目前大都使 用n型半导体光敏电阻。为了减少杂质能级上电子的热 激发，常需要在低温下工作。这种效应可以检测波长较 长的辐射。主要用于超过5微米的波段
光敏电阻结构: 光敏电阻是在绝缘材料上装梳状光电导体封闭在金属 或塑料外壳内,再在两端连上欧姆接触的电极构成 为避免外部干扰,入射窗口装有透明保护窗,使起特 殊滤光作用(对所需光透明)。图为最简单的光敏电阻 原理图及符号表示。 光照
光敏电阻结构： ◼ 光敏电阻是在绝缘材料上装梳状光电导体封闭在金属 或塑料外壳内，再在两端连上欧姆接触的电极构成。 为避免外部干扰，入射窗口装有透明保护窗，使起特 殊滤光作用(对所需光透明)。图为最简单的光敏电阻 原理图及符号表示。 光照 电极