、N半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷 (或锑),晶体点阵中的某些半导体原子被 杂质取代,磷原子的最外层有五个价电子 其中四个与相邻的半导体原子形成共价键, 必定多出一个电子,这个电子几乎不受束缚, 很容易被激发而成为自由电子,这样磷原子 就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原 0子给出一个电子,称为施主原子
11 一、N 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷 （或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被 杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子， 其中四个与相邻的半导体原子形成共价键， 必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚， 很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子 就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原 子给出一个电子，称为施主原子
多余> 电子 N型半导体中 x的载流子是什 磷原子 2以人 1、由施主原子提供的电子,浓度与施主原子相同。 2、本征半导体中成对产生的电子和空穴 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度,所以,自 由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流 子(多子),空穴称为少数载流子(少子)
12 +4 +4 +5 +4 多余 电子 磷原子 N 型半导体中 的载流子是什 么？ 1、由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。 2、本征半导体中成对产生的电子和空穴。 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自 由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流 子（多子），空穴称为少数载流子（少子）
P型岁导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素,如硼 (或铟),晶体点阵中的某些半导体原子被杂质 取代,硼原子的最外层有三个价电子,与相邻的 半导体原子形成共价键时,空穴人题 产生一个空穴。这个空穴 可能吸引束缚电子来填补, 使得硼原子成为不能移动5x 的带负电的离子。由于硼 A 原子接受电子,所以称为 受主原子。 硼原子gxx P型半导体中空穴是多子,电子是少子。13
13 二、P 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼 （或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质 取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的 半导体原子形成共价键时， 产生一个空穴。这个空穴 可能吸引束缚电子来填补， 使得硼原子成为不能移动 的带负电的离子。由于硼 原子接受电子，所以称为 受主原子。 +4 +4 +3 +4 空穴 硼原子 P 型半导体中空穴是多子，电子是少子
、杂颗半导体的示意表示法 9999999 99e99e 999999⑨⑨零 ⊙⊙ ((+(( P型半导体 N型半导体 杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。 但由于数量的关系,起导电作用的主要是多子 近似认为多子与杂质浓度相等。 14
14 三、杂质半导体的示意表示法 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P 型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N 型半导体 杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。 但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。 近似认为多子与杂质浓度相等
51.1.3ePN结 一、PN结的形成 在同一片半导体基片上,分别制造P型半导 体和N型半导体,经过载流子的扩散,在它们的 交界面处就形成了PN结
15 §1.1.3 PN结 一、 PN 结的形成 在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导 体和N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的 交界面处就形成了PN 结