个3.1放大电路的组成与技术指标减 UCE Vo Re b 0 T VCE R Vi 12U Vi=0 Vi=vsinot BACKNEX
(1-16) Vi=0 Vi=Vsint §3.1放大电路的组成与技术指标
§3.2款大电路的稳定偏置x 温度对半导体器件及静态工作点的影响 1.温度变化对ICBo的影响 /mA k(T-To) CBO CBO(T=25°C 温度T个 性曲线上移 2.总之 Q lB ICB↑→(CEo↑ VcE/V T个→V BE ↓→n↑→l B 个 B个 1.0% 、间距增大 BACK NEX
(1-17) §3.2放大电路的稳定偏置 一、温度对半导体器件及静态工作点的影响 Q vCE/V iC/mA iB =0 IB Q1 1. 温度变化对ICBO的影响 2. 温度变化对输入特性曲线的影响 温度T → 输出特性曲线上移 ( ) CBO CBO( 25 C) 0 0 k T T T I I e − = = ( ) 2.2 10 V 3 B E BE( 0 25 C) 0 − V =V T = − T −T 温度T → 输入特性曲线左移 3. 温度变化对的影响 温度每升高1 °C ， 要增加0.5%1.0% 温度T → 输出特性曲线族间距增大 总之： ICBO → ICEO T → VBE → IB → IC Q vCE/V iC/mA iB =0 IB Q1
§3.2款大电路的稳定偏量x 分压式偏置电路 oscc 持恒定。 R b2 C 电位能基 R 本 车点的稳 Ran Rall eige 定 b点电位基本不变的条件:I1>>l3, B→>V BE 此时 R b2 ≈ t c不随温度变化而变化。且R可取 bI b2 大些,反馈控制作用更强。一般取1=(5~10)/B,V=3V~5V BACKNEX
(1-18) 1. 稳定工作点原理 目标：温度变化时，使IC维持恒定。 如果温度变化时，b点电位能基 本不变，则可实现静态工作点的稳 定。 T 稳定原理： → IC → IE IC → VE、VB不变 → VBE → IB （反馈控制） b点电位基本不变的条件： I1 >>IB ， CC b1 b2 b2 B V R R R V + 此时， 不随温度变化而变化。 VB >>VBE 且Re可取 大些，反馈控制作用更强。一般取 I1 =(5~10)IB ， VB =3V~5V §3.2放大电路的稳定偏置 二、分压式偏置电路
§3.2款大电路的稳定偏置x 2.放大电路指标分析 oscc ①静态工作点 Rb1 Cb2 C iC +b B Rhu+r RI ≈iBic BE E R CE VCC-ICR-TERAVcc-lc(r +r) B B BACKNEX
(1-19) 2. 放大电路指标分析 ①静态工作点 CC b1 b2 b2 B V R R R V + e B B E C E R V V I I − = ( ) CE CC C c E e CC C Rc Re V =V − I R − I R V − I + C B I I = §3.2放大电路的稳定偏置
§3.2款大电路的稳定偏置x ②电压增益 oⅤc Rell Rbt <A>画小信号等效电路 R e R <B>确定模型参数 Ro2 E≈IB+lC R β已知,求石e re≈2002+(1+B) 26(mV) lfo(mA) <C>增益 输出回路:V=-B·(R2∥R1) 输入回路:V=ble+IR=lle+lb(1+β)R B.I(RQ∥R)B·(R∥R1) 电压增益4==+(+BR+(1+B)尺 BACKNEX
(1-20) ②电压增益 输出回路： ( // ) o b Rc RL V I = − 输入回路： i b be e e b be b e V = I r + I R = I r + I (1 + )R 电压增益： be e c L b be e b c L i o V (1 ) ( // ) [ (1 ) ] ( // ) r R R R I r R I R R V V A + + = − + + − = = <A>画小信号等效电路 <B>确定模型参数 已知，求rbe (mA) 26(mV) 200 (1 ) EQ be I r + + <C>增益 §3.2放大电路的稳定偏置