P型半导体 N型半导体 ○°○°○d·④G e°○°○d° °°④④·④ 图1.6P型和N型半导体交界处载流子的扩散 人民邮电出版社 POSTS tEl OM PRE 动此映
图1.6 P型和N型半导体交界处载流子的扩散
由于空穴和自由电子均是带电的粒子 所以扩散的结果使P区和N区原来的电中性 被破坏,在交界面的两侧形成一个不能移 动的带异性电荷的离子层,称此离子层为 空间电荷区,这就是所谓的PN结,如图17 所示。在空间电荷区,多数载流子已经扩 散到对方并复合掉了,或者说消耗尽了, 因此又称空间电荷区为耗尽层。 人民邮电出版社 POSTS tEl OM PRE 动此映
由于空穴和自由电子均是带电的粒子， 所以扩散的结果使P区和N区原来的电中性 被破坏，在交界面的两侧形成一个不能移 动的带异性电荷的离子层，称此离子层为 空间电荷区，这就是所谓的PN结，如图1.7 所示。在空间电荷区，多数载流子已经扩 散到对方并复合掉了，或者说消耗尽了， 因此又称空间电荷区为耗尽层
空间电荷区 P型半导体 N型半导体 °e。③④;④ °○○:'G 内电场 图1.7PN结的形成 人民邮电出版社 POSTS tEl OM PRE 动此映
图1.7 PN结的形成
空间电荷区出现后,因为正负电荷的 作用,将产生一个从N区指向P区的内电场 内电场的方向,会对多数载流子的扩散运 动起阻碍作用。同时,内电场则可推动少 数载流子(P区的自由电子和N区的空穴) 越过空间电荷区,进入对方。少数载流子 在内电场作用下有规则的运动称为漂移运 动。漂移运动和扩散运动的方向相反。无 外加电场时,通过PN结的扩散电流等于漂 移电流,PN结中无电流流过,PN结的宽 度保持一定而处于稳定状态。 人民邮电出版社 POSTS tEl OM PRE 动此映
空间电荷区出现后，因为正负电荷的 作用，将产生一个从N区指向P区的内电场。 内电场的方向，会对多数载流子的扩散运 动起阻碍作用。同时，内电场则可推动少 数载流子（P区的自由电子和N区的空穴） 越过空间电荷区，进入对方。少数载流子 在内电场作用下有规则的运动称为漂移运 动。漂移运动和扩散运动的方向相反。无 外加电场时，通过PN结的扩散电流等于漂 移电流，PN结中无电流流过，PN结的宽 度保持一定而处于稳定状态
2.PN结的单向导电性 如果在PN结两端加上不同极性的电压 PN结会呈现出不同的导电性能 1)PN结外加正电压 PN结P端接高电位,N端接低电位, 称PN结外加正向电压,又称PN结正向偏 置,简称为正偏,如图1.8所示。 人民邮电出版社 POSTS tEl OM PRE 动此映
2. PN结的单向导电性 如果在PN结两端加上不同极性的电压， PN结会呈现出不同的导电性能。 （1）PN结外加正向电压 PN结P端接高电位，N端接低电位， 称PN结外加正向电压，又称PN结正向偏 置，简称为正偏，如图1.8所示