(3)一定温度下,本征半导体中电子 空穴对的产生与复合相对平衡,电子空穴 对的数目相对稳定。 (4)温度升高,激发的电子空穴对数 目增加,半导体的导电能力增强。 空穴的出现是半导体导电区别导体导电的 一个主要特征 人民邮电出版社 POSTS tEl OM PRE 动此映
（3）一定温度下，本征半导体中电子 空穴对的产生与复合相对平衡，电子空穴 对的数目相对稳定。 （4）温度升高，激发的电子空穴对数 目增加，半导体的导电能力增强。 空穴的出现是半导体导电区别导体导电的 一个主要特征
l.1.2条质半辱膝 在本征半导体中加入微量杂质,可使 其导电性能显著改变。根据掺入杂质的性 质不同,杂质半导体分为两类:电子型 (N型)半导体和空穴型(P型)半导体 人民邮电出版社 POSTS tEl OM PRE 动此映
1.1.2 杂质半导体 在本征半导体中加入微量杂质，可使 其导电性能显著改变。根据掺入杂质的性 质不同，杂质半导体分为两类：电子型 （N型）半导体和空穴型（P型）半导体
1.N型半导体 在硅(或锗)半导体晶体中,掺入微 量的五价元素,如磷(P)、砷(As)等, 则构成N型半导体。 人民邮电出版社 POSTS tEl OM PRE 动此映
1. N型半导体 在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微 量的五价元素，如磷（P）、砷（As）等， 则构成N型半导体
五价的元素具有五个价电子,它们进 入由硅(或锗)组成的半导体晶体中,五 价的原子取代四价的硅(或锗)原子,在 与相邻的硅(或锗)原子组成共价键时, 因为多一个价电子不受共价键的束缚,很 容易成为自由电子,于是半导体中自由电 子的数目大量增加。自由电子参与导电移 动后,在原来的位置留下一个不能移动的 正离子,半导体仍然呈现电中性,但与此 同时没有相应的空穴产生,如图14所示。 人民邮电出版社 POSTS tEl OM PRE 动此映
五价的元素具有五个价电子，它们进 入由硅（或锗）组成的半导体晶体中，五 价的原子取代四价的硅（或锗）原子，在 与相邻的硅（或锗）原子组成共价键时， 因为多一个价电子不受共价键的束缚，很 容易成为自由电子，于是半导体中自由电 子的数目大量增加。自由电子参与导电移 动后，在原来的位置留下一个不能移动的 正离子，半导体仍然呈现电中性，但与此 同时没有相应的空穴产生，如图1.4所示
+4 4 多余电子 +4 +5 正离子核 +4 4 -4 图14N型半导体的共价键结构 人民邮电出版社 POSTS tEl OM PRE 动此映
图1.4 N型半导体的共价键结构