上海交通大学：《光纤通信系统与设计》教学资源（PPT课件）第六章 光检测器

响应度VS.波长 1.0 1.0 给定波长R为常数 0.9 InGaAs 0.8 9R= 79 q(1-R)(1-e-a.(ah") hv hv 0.65 0.6 0.45 Si Ge 0.4 hv变大 02 ↓变小 光子不激发出载流子 0 0.7 0.9 11 1.3 1.5 1.7 波长（μm) 如图所示，Si和G作为光敏材料响应度都不高

响应度 vs. 波长 如图所示，Si和Ge作为光敏材料响应度都不高   hv q R e w f s (1 )(1 )      

例 如上图所示，波长范围为1300nm-1600nm的 InGaAs pin,量子效率约为90%，因此响应度为： 9R=79=792_ (0.9001.6×10-19c2 =7.25×1052 hy hc 6.625×1034J-s3×10m/s 当波长为1300nm时： 9R=[7.25x103(A/w)/m]1.30x106m)=0.942A/w 波长大于1600nm时，光子能量不足以激发出电子。 当波长<1100nm时，光子在接近光电二极管的表面 被吸收，所产生的电子空穴对的复合寿命很短，很 多载流子并没有产生光电流。所以在短波长响应度 的值迅速降低

如上图所示，波长范围为1300 nm - 1600 nm的 InGaAs pin，量子效率约为90%，因此响应度为： 当波长为1300 nm时： 波长大于1600 nm时，光子能量不足以激发出电子。 当波长<1100 nm时，光子在接近光电二极管的表面 被吸收，所产生的电子空穴对的复合寿命很短，很 多载流子并没有产生光电流。所以在短波长响应度 的值迅速降低。 例            5 34 8 19 7.25 10 6.625 10 J s 3 10 m/s 0.90 1.6 10 C             hc q hv q   7.2510 5 A/W/m1.3010 6m  0.942A/W