读写存储器RAM 组成单元速度集成度 应用 sRAM触发器快 小容量系统 DRAM极间电容慢 低高 大容量系统 NRAM带微型电池慢低小容量非易失
读写存储器RAM 组成单元 速度 集成度 应用 SRAM 触发器 快 低 小容量系统 DRAM 极间电容 慢 高 大容量系统 NVRAM 带微型电池 慢 低 小容量非易失
只读存储器ROM ■掩膜RoM:信息制作在芯片中,不可更改 PRoM:允许一次编程,此后不可更改 ■ EPROM:用紫外光擦除,擦除后可编程; 并允许用户多次擦除和编程 EEPROM(E2PRoM):采用加电方法在 线进行擦除和编程,也可多次擦写 Flash memory(闪存):能够快速擦写的 EEPROM,但只能按块( Block)擦除
只读存储器ROM ◼ 掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改 ◼ PROM：允许一次编程，此后不可更改 ◼ EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程； 并允许用户多次擦除和编程 ◼ EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在 线进行擦除和编程，也可多次擦写 ◼ Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的 EEPROM，但只能按块（Block）擦除
512半导体存储器的主要性能指标 ●存储容量微机存储器的容量是指存储器所 能容纳的最大字节数 存取周期存取周期是指存储器从接收到地 址,到实现一次完整的读出和写入数据的时间, 也称为存取时间,是存储器进行连续读和写操 作所允许的最短时间间隔
5.1.2 半导体存储器的主要性能指标 • 存储容量 微机存储器的容量是指存储器所 能容纳的最大字节数 • 存取周期 存取周期是指存储器从接收到地 址，到实现一次完整的读出和写入数据的时间， 也称为存取时间，是存储器进行连续读和写操 作所允许的最短时间间隔
易失性指存储器的供电电源断开后,存 储器中的内容是否丢失 功耗半导体存储器在额定工作电压下, 外部电源保证它正常工作的前提下所提供的 最大电功率称之为功耗 ·可靠性指它抵抗干扰,正确完成读/写 数据的性能
•易失性 指存储器的供电电源断开后，存 储器中的内容是否丢失 •功 耗 半导体存储器在额定工作电压下， 外部电源保证它正常工作的前提下所提供的 最大电功率称之为功耗 • 可靠性 指它抵抗干扰，正确完成读/写 数据的性能
52半导体存储器 521存储器中地址译码的两种方式 、存储器芯片逻辑图 地址线A。-A。|存储器数据线D-D 芯片 读信号RD 片选信号 写信号WR 图5-2存储器芯片逻辑图
5.2 半导体存储器 5.2.1 存储器中地址译码的两种方式 一、存储器芯片逻辑图