3.温度对二极管伏安特性的影响 ①温度升高后,二极管死区电压Uh和导通正向压降Un下 降(正向特性左移)。 温度每升高1°C,Un约减小2~25mV。 ②温度升高后,二极管反向饱和电流/s大大增大(反向特 性下移)。 温度每升高10°C,反向饱和电流约增大一倍
⒊ 温度对二极管伏安特性的影响 ① 温度升高后，二极管死区电压Uth和导通正向压降Uon下 降（正向特性左移）。 温度每升高1℃，Uon约减小2~2.5mV。 ② 温度升高后，二极管反向饱和电流IS大大增大（反向特 性下移）。 温度每升高10℃，反向饱和电流约增大一倍
tip/mA T高:}7低 (7低) (高) 图1-7温度对伏安特性的影响
图1-7 温度对伏安特性的影响
4.二极管的主要特性参数 (1)最大整流电流/ (2)最高反向工作电压URaM (3)反向电流/和反向饱和电流/s (4)最高工作频率f
⒋ 二极管的主要特性参数 ⑴ 最大整流电流IF ⑵ 最高反向工作电压URM ⑶ 反向电流IR和反向饱和电流IS ⑷ 最高工作频率fM
5.理想二极管 (1)理想二极管模型 (2)恒压降模型 图1-8理想二极管的伏安特性 a)理想二极管模型 b)恒压降模型
⒌ 理想二极管 ⑴ 理想二极管模型 ⑵ 恒压降模型 图1-8 理想二极管的伏安特性 a) 理想二极管模型 b) 恒压降模型
【例1-2】已知电路如图1-10a、b所示,VD为理想二极管, E=5V,=10 Sint(v),试分别画出输出电压uo波形。 R VD VD R E E 图1-10例1-2电路
【例1-2】已知电路如图1-10a、b所示，VD为理想二极管， E=5V，ui=10Sinωt（V），试分别画出输出电压uO波形。 图1-10 例1-2电路