半导体存储器 第11章 机械工业出版社同名教材 配套电子教案
第11章 机械工业出版社同名教材 配套电子教案
第11章半导体存储器 11.1存储器基本概念 1.存储器的主要技术指标 (1)存储容量 存储单元:能够存储二进制数码1或0的电路 存储容量:存储器含有存储单元的数量
11.1 存储器基本概念 ⒈ 存储器的主要技术指标 第11章 半导体存储器 ⑴ 存储容量 存储单元：能够存储二进制数码1或0的电路。 存储容量：存储器含有存储单元的数量
表示方法: ①按位(存储单元:bit,缩写为小写字母b)数表示; 例如,存储器有32768个位存储单元,存储容量可表 示为32kb。其中1kb=1024b, 1024b×32=32768b; ②按字节(字节单元:Byte,缩写为大写字母B)数 表示。 例如,存储器有32768个位存储单元,可表示为4kB (字节,Byte),4×1024×8=32768b
表示方法： ① 按位（存储单元：bit ，缩写为小写字母b）数表示； 例如，存储器有32768个位存储单元，存储容量可表 示为32kb。其中1kb=1024b， 1024b×32=32768b； ② 按字节（字节单元：Byte，缩写为大写字母B）数 表示。 例如，存储器有32768个位存储单元，可表示为4kB （字节，Byte），4×1024×8=32768b
(2)存取周期 连续两次读(写)操作间隔的最短时间称为存取周期。 存取周期表明了读写存储器的工作速度。 不同类型的存储器存取周期相差很大。快的约ns级, 慢的约几十ms
⑵ 存取周期 连续两次读（写）操作间隔的最短时间称为存取周期。 存取周期表明了读写存储器的工作速度。 不同类型的存储器存取周期相差很大。快的约ns级， 慢的约几十ms
2.存储器结构 地 数 地址线 地址寄存器 址 存储 据 译 单元级K 码矩阵冲数据线 控制线 控制电路 图11-1存储器结构示意图 (1)存储单元地址 (2)地址寄存器和地址译码器 (3)存储单元矩阵 (4)数据缓冲器 (5)控制电路
⒉ 存储器结构 ⑴ 存储单元地址 ⑵ 地址寄存器和地址译码器 ⑶ 存储单元矩阵 ⑷ 数据缓冲器 ⑸ 控制电路