电子被加有栅极电压的MOS结构吸引到势能最低 的氧化层与半导体地交界面处 10V U≈=5V 10V Uc=15V 空势阱 填充1/3势阱全满势阱 MOS电容存储信号电荷的容量为:Q=Cox"UeA
u0 10V 10V UG=5V UG=10V UG=15V 空势阱 填充1/3势阱 全满势阱 电子被加有栅极电压的MOS结构吸引到势能最低 的氧化层与半导体地交界面处。 MOS电容存储信号电荷的容量为：Q=Cox•UG•A
电荷耦合 假定开始有一些电荷存储在偏压为20V的第二个电 极下面的势阱里,其他电极上均加有大于阈值得 较低电压(例如2V)。设a图为零时刻,经过一段 时间后,各电极的电压发生变化,第二个电极仍 保持10V,第三个电极上的电压由2V变为10V,因 这两个电极靠的很近(几个微米),它们各自的 对应势阱将合并在一起。原来在第二个电极下的 电荷变为这两个电极下势阱所共有。如图b&c 若此后第二个电极上的电压由10V变为2V,第三 个电极电压仍为10V,则共有的电荷转移到第三个 电极下的势阱中,如图e。由此可见,深势阱及电 荷包向右移动了一个位置
电荷耦合 假定开始有一些电荷存储在偏压为20V的第二个电 极下面的势阱里，其他电极上均加有大于阈值得 较低电压（例如2V）。设a图为零时刻，经过一段 时间后，各电极的电压发生变化，第二个电极仍 保持10V，第三个电极上的电压由2V变为10V，因 这两个电极靠的很近（几个微米），它们各自的 对应势阱将合并在一起。原来在第二个电极下的 电荷变为这两个电极下势阱所共有。如图b＆c。 若此后第二个电极上的电压由10V变为2V，第三 个电极电压仍为10V，则共有的电荷转移到第三个 电极下的势阱中，如图e。由此可见，深势阱及电 荷包向右移动了一个位置