1009590%e85800.2C751.0C6704681012141618202224Averagesize,μmNi(OH),的利用率与平均粒径的关系
4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 70 75 80 85 90 95 100 1.0C 0.2C Utilization, % Average size, m Ni(OH)2的利用率与平均粒径的关系
氢氧化镍的粒度分布及放电容量808H40OCnianaee00AETs19推加小工12010.9130-10020005030020016NiiOHi,dischargevolumePartide dlameterHCHA的u微器mAhg粒um
氢氧化镍的粒度分布及放电容量
(3)晶粒尺寸和缺陷的影响掺杂钻后氢氧化镍晶体缺陷增多，一次晶体颗粒的粒径细化，提高了Ni(OH),的导电性和析氢电位，提高电池的放电容量。添加锌增加了Ni(OH),的晶体缺陷，增加电极中电子和质子的传递能力，从而提高了氢氧化镍电极的可逆性，强化了电极的析氧极化，其充电效率和放电比容量也随之提高
（3）晶粒尺寸和缺陷的影响 掺杂钴后氢氧化镍晶体缺陷增多，一次 晶体颗粒的粒径细化，提高了Ni(OH)2的导电 性和析氢电位，提高电池的放电容量。 添加锌增加了Ni(OH)2的晶体缺陷，增加 电极中电子和质子的传递能力，从而提高了氢 氧化镍电极的可逆性，强化了电极的析氧极化， 其充电效率和放电比容量也随之提高
(4)金属镀层的影响Ni(OH),是一种P型半导体，纯Ni(OH),导电性差、电化学活性低，与泡沫镍基体间存在较大的接触电阻，电子移动受到影响，充、放电过程中活性物质利用不充分等。通过镀膜的方法在Ni(OH),颗粒表面沉积钻、氢氧化钻薄膜改善与镍基体的导电性，从而增大放电深度
（4）金属镀层的影响 Ni(OH)2是一种P型半导体，纯Ni(OH)2导 电性差、电化学活性低，与泡沫镍基体间存在 较大的接触电阻，电子移动受到影响，充、放 电过程中活性物质利用不充分等。通过镀膜的 方法在 Ni(OH)2颗粒表面沉积钴、氢氧化钴薄 膜改善与镍基体的导电性，从而增大放电深度
在氢氧化镍中，共沉积方式添加的钻以Nil-xCox(OH),固溶体形式存在。Co取代部分Ni的位置，在Ni(OH),和NiOOH晶格中形成阳离子杂质缺陷，而缺陷的存在，可增加充放电过程中H+的进出自由度，提高Ni(II)/Ni(III)反应的可逆性
在氢氧化镍中，共沉积方式添加的钴以 Ni1-xCox(OH)2固溶体形式存在。Co取代部分 Ni的位置，在Ni(OH)2和NiOOH晶格中形成阳 离子杂质缺陷，而缺陷的存在，可增加充放电 过程中H+的进出自由度，提高Ni(II)/Ni(III)反 应的可逆性