拟电子彼求 第1章半导体二极管 1.2半导体二极管的 特性和主要参数 2.半导林二极管的结构和类型画 22管的伏安一 23极管的主要参数
1.2 半导体二极管的 特性和主要参数 1.2.1 半导体二极管的结构和类型 1.2.2 二极管的伏安特性 1.2.3 二极管的主要参数 第 1 章 半导体二极管
拟电子彼求 第1章半导体二极管 121半导体二极管的结构和类型 构成:PN结+引线+管壳=二极管( Diode) 符号:A( anode)-饼c( cathode) 分类: 硅二极管 点接触型 按材料分 按结构分面接触型 锗二极管 平面型 铝合金正极引线 正极负极 正极N型片负极小球 引线引线 引线 引线 △PN结 N型锗|金锑 合金 外壳 触丝负极引线一 P型支持衬底 底座 点接触型 面接触型 集成电路中平面型
1.2.1 半导体二极管的结构和类型 构成： PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管(Diode) 符号： A(anode) C (cathode) 分类： 按材料分 硅二极管 锗二极管 按结构分 点接触型 面接触型 点接触型 正极 引线 触丝 N 型锗片 外壳 负极 引线 负极引线 面接触型 N型锗 PN 结 铝合金 正极引线 小球 底座 金锑 合金 平面型 正极 引线 负极 引线 集成电路中平面型 P N P 型支持衬底 第 1 章 半导体二极管
整流二极管 型主符 型号:2CP4 符号:
拟电子彼求 第1章半导体二极管 1.2.2二极管的伏安特性 玻尔兹曼 、PN结的伏安方程 常数 /U DS UT 反向饱 温度的 和电流 电压当量电子电量 当T=300(27°C): Ur=26 mV
1.2.2 二极管的伏安特性 一、PN 结的伏安方程 (e 1) / D S D = − u UT i I 反向饱 和电流 温度的 电压当量 q kT UT = 电子电量 玻尔兹曼 常数 当 T = 300(27C)： UT = 26 mV 第 1 章 半导体二极管
拟电子彼求 第1章半导体二极管 极管的伏安特性 iD/mA 0<U< Uth ip=0 U(BR) Is 正向特性Um=0.5V(硅管) 0.1V(锗管) 反向特性 th "D/V 向 U/>Ui急剧上升 死区 电压 UDom)=(0.6~0.8)V硅管0.7V 0.1~03)V锗管0.2V U(mBg)<U<0=ls<0.1μA(硅)几十μA(锗) U<U(BR反向电流急剧增大(反向击穿)
二、二极管的伏安特性 O uD /V iD /mA 正向特性 Uth 死区 电压 iD = 0 Uth = 0.5 V 0.1 V (硅管) (锗管) U Uth iD 急剧上升 0 U Uth UD(on) = (0.6 0.8) V 硅管 0.7 V (0.1 0.3) V 锗管 0.2 V 反向特性 I U (BR) S 反 向 击 穿 U(BR) U 0 iD = IS < 0.1 A(硅)几十 A (锗) U < U(BR) 反向电流急剧增大 (反向击穿) 第 1 章 半导体二极管