对于理想介质,反射系数是实数, E,=E 1+r2+2r cos2k = /2 H E: 1+r2-2Tcos2k 电场振幅空间分布 硗场振幅空间分布
对于理想介质，反射系数是实数， = + − = + + 1 2 1 2 i 1 1 1 2 1 2 1 i 1 2 cos2 1 1 2 cos2 / / E k z E k z H E
由于反射波与入射波干涉叠加,电场和磁场的振幅 不再是常数,而是随空间不同位置而变化,在 2(n=0,2 电场振幅达到最大值:|E=E() 磁场振幅达到最小值: AE;|(1
,(n , , .....) n z 01 2 2 1 = − = = (1+) E1 max Ei 由于反射波与入射波干涉叠加，电场和磁场的振幅 不再是常数，而是随空间不同位置而变化，在 电场振幅达到最大值： 磁场振幅达到最小值： = (1− ) 1 i 1 1 min H E
介质1中的 Poynting矢量(即传输功率)为 ReE1×H1 E 2n, Re1-r2+2jr/sin 2k1 E l-r2]e=(P)n-(2) 271 介质1中沿Z轴传输的功率为入射电磁波传输的 功率减去反射波的传输功率
介质1中的Poynting矢量（即传输功率）为： ( ) ( ) ( ) av i n av r 2 1 2 i 1 2 1 2 i av 1 1 1 1 2 Re 1 2j sin 2 2 Re 2 1 eˆ P P E k z eˆ E P z z = − = − = − + = E H 介质1中沿Z轴传输的功率为入射电磁波传输的 功率减去反射波的传输功率
定义透射波振幅与入射波振幅之比为透射系数 (E2-E1)=0→E1+E1=E x(H2-H)=0=E=E=E E 27272+7h,n2 71 1+T E=ET E;2+72+7172+7 E,(r)=eTE e jk2= H2(r)=)TE; e-k
定义透射波振幅与入射波振幅之比为透射系数 = + + − + + + = + = = 1 2 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 i t E E T ( ) ( ) 2 t 1 r 1 i 2 1 2 1 i r t 0 0 E E E ˆ ˆ E E E − = − = − = + = n H H n E E Et = Ei T ( ) ( ) = = − − y k z k z x e eˆ eˆ e 2 2 j i 2 2 j 2 i TE TE H r E r
透射波功率: (P)=ReE2×2 E T 2 透射波与反射波功率之和: E T 2 7 2 E E 271 271
( ) ( ) ( ) av i 1 2 2 i 2 2 1 1 2 i 2 2 2 2 i 1 2 i av r av t 2 2 2 2 P E E E E P P = = = + + = + ( ) 2 2 i 2 av t 2 2 2 1 Re 2 1 T P E E H = = 透射波功率： 透射波与反射波功率之和：