52存储器技术 二.DRAM( Dynamic RAM)技术 ■依靠电容存储电荷的原理存储信息 字线( wordline)设为高电平,设置 位线( bitline)为高(写“1” 或为低(写“0”) Line 读 位线先预充电(在高低电平之间),专 Bit line 字线设为高电平, Sense amp根据位 线电位的变化,读1/0。 Sense A
5.2 存储器技术 二. DRAM（Dynamic RAM）技术 ◼ 依靠电容存储电荷的原理存储信息 ◼ 写 –字线（wordline）设为高电平，设置 位线（bitline）为高（写“1”）， 或为低（写“0”） ◼ 读 –位线先预充电（在高低电平之间）, 字线设为高电平，Sense Amp根据位 线电位的变化，读1/0。 Word Line Bit Line C Sense Amp . .
52存储器技术 二.DRAM( Dynamic RAM)技术 ■DRAM逻辑组织(64Mibt Column decoder |落|←D 14 Sense amps &lo Memory Array (16,384×16,384) 13 Storage Word Line Cell
5.2 存储器技术 二. DRAM（Dynamic RAM）技术 ◼ DRAM 逻辑组织（64 Mibit） Column Decoder Sense Amps & I/O Memory Array (16,384×16,384) A 0…A13 … Address buffer 14 Data in DQ Word Line Storage Cell Row Decoder … Bit Line
52存储器技术 二.DRAM( Dynamic RAM)技术 ■速度低于SRAM ■价格低于SRAM ■需要刷新 >DRAM是依靠电容上存储电荷来暂存信息。平时无电 源供电,时间一长电容上存储的电荷会逐渐泄露。 需定期向电容补充电荷,以保持信息不变,即为刷 新。 按行刷新 ■用作内存
5.2 存储器技术 二. DRAM（Dynamic RAM）技术 ◼ 速度低于SRAM ◼ 价格低于SRAM ◼ 需要刷新 ➢DRAM是依靠电容上存储电荷来暂存信息。平时无电 源供电，时间一长电容上存储的电荷会逐渐泄露。 需定期向电容补充电荷，以保持信息不变，即为刷 新。 ➢按行刷新 ◼ 用作内存
52存储器技术 闪存 ■是一种电可擦除可编程只读存储器( EEPROM) ■具有非易失性,可以在线擦除和重写 ■集成度高、高可靠性、抗振动 ■单位价格在DRAM和磁盘之间 sm地kk Titra o 42.00
5.2 存储器技术 三. 闪存 ◼ 是一种电可擦除可编程只读存储器（EEPROM） ◼ 具有非易失性，可以在线擦除和重写 ◼ 集成度高、高可靠性、抗振动 ◼ 单位价格在DRAM和磁盘之间
52存储器技术 四.磁盘存储器 利用磁层上不同方向的磁化区域表示信息。 容量大,记录信息可以长期保存,具有非易失性 非破坏性读出,记录介质可以重复使用 顺序存取方式,速度慢 cylinder track sector
5.2 存储器技术 四. 磁盘存储器 ◼ 利用磁层上不同方向的磁化区域表示信息。 ◼ 容量大，记录信息可以长期保存，具有非易失性。 ◼ 非破坏性读出，记录介质可以重复使用 ◼ 顺序存取方式，速度慢