例：晶带计算 由两个不平行晶面求晶带轴 晶面1(h,k,) 晶带轴[uvw 晶面2(h2k2l) k u:V:W= k
例：晶带计算 由两个不平行晶带求晶面 晶带1[u1y1w小 晶面(hk) 晶带2[u2V2w2] h:k:1= V2 W32 41 u V2
例：晶带计算 已知两个晶面在一个晶带，求该晶带的其它晶面 晶面1(h,k,1) 晶面2(h2k212) 晶面3(h3k313) 若 h k11 h2k212 =0 ha ka 3 则三个晶面同属一个晶带
冬晶面间距 取向（位向） 品面指数 问距 品面的位向由法线表示，法向用方向余弦表示 h:k:I=cos a:cosp:cosy cos 2a+cos28+cos2y=1 晶面间距公式的推导 两相邻平行晶面间的垂直距离一 品面间距，用dh表示 从原点作(hk)品面的法线，则法线被最近的(hk) 面所交截的距离即是。 通常，晶面指数越大，晶面间距越小
nature h Low current density Explore content About the journal Publish with us 2112 nature articles article Article Published:02 August 2023 200 nm 5nm 0<1112 Ultrafast deposition of faceted lithium polyh Ultrafast current density outpacing SEI formation d Xintong Yuan,Bo Liu Matthew Mecklenburg&YuzhangLi Noture 620,86-91(2023)Cite this article ⊙×111> ©<001> 以低电流密度条件在铜(C)透射电子显微镜 (TEM)网格上直接沉积锂金属，作为一个对 110 照样本。通过结合cro-em成像和相应的SAED 图像（如图2a-c所示），观察到在电解质C 5 nm- ⊙<111 中，锂金属以特定的方向生长为单晶纳米线 e110> 0<001
以低电流密度条件在铜(Cu)透射电子显微镜 (TEM)网格上直接沉积锂金属，作为一个对 照样本。通过结合cro-em成像和相应的SAED 图像（如图2a-c所示），观察到在电解质C 中，锂金属以特定的方向生长为单晶纳米线