ANSYS外导体的内半径由于集肤效应，外导体内半径也要网格细化 = (元 μ f) -1/2(m)式中μ=磁导率=μro=1.256E-6G=电导率=1/p=5.83E-8f=场频率（Hz)=10008-2.1mm4.4-6
4.4-6 外导体的内半径 • 由于集肤效应，外导体内半径 也要网格细化 δ = (π μ σ f) -1/2 (m) 式中 μ = 磁导率 = μr μ0 =1.256E-6 σ = 电导率= 1 /ρ = 5.83E-8 f = 场频率 (Hz)=1000 δ=2.1 mm
ANSYS在内导体对称平面加VOLT约束施加VOLT约束Solu>apply>-electric-boundary>onareas[DAApplyTime-Integrated Potential <uoLT)onAreasUALUEUalue of potential (uoLr)选择OK选择内杆对称端面平面4.4-7
4.4-7 • 在内导体对称平面加VOLT 约束 • 施加 VOLT约束 Solu>apply>-electric-boundary>on areas 选择内杆对 称端面平面 • 选择 OK
ANSYS对于外导体对称平面：外导体施加10,000安（峰值）1,000Hz电流在一个对称平面上施加VOLT耦合在耦合端的一个节点上施加电流值在另一个对称面的全部节点上施加VOLT约束（只对于导体节点）4.4-8
4.4-8 • 对于外导体对称平面: – 在一个对称平面上施加 VOLT 耦合 – 在耦合端的一个节点上施加 电流值 – 在另一个对称面的全部节点 上施加VOLT约束（只对于 导体节点） 外导体施加10,000 安(峰值）1,000 Hz电流