一片SRAM6264芯片电路的“读”操作过程译码器P2.7~P2.5P2.4~P2.0VEA低8位地址/CS1A7~AOA12~A8低8位地址高8位地址锁存信号数据CS1存储器8051ALESRAM6264（8K*8位）Vcc低8位地址/OE/WED7~DO8位数据PO/WRRD片外RAM片外RAM单元“读信号“读”操作完成
一片SRAM 6264芯片电路的“读”操作过程： 译码器 A7～A0 地址 锁存器 A7～A0 高8位地址 8位数据 低8位地址 锁存信号 数据 存储器 SRAM 6264 （8K*8位） D7～D0 /OE A7～A0 A12～A8 /CS1 CS1 /WE 8051 /EA P2.7～P2.5 P0 /WR ALE P2.4～P2.0 /RD Vcc R 低8位地址 片外RAM “读”信号 译码器 低8位地址 片外RAM单元 “读”操作完成
3.数据、程序存储器混合扩展方法程序存储器和数据存储器的混合扩展，可以按各自的扩展方法实现，只是数据总线和地址总线共用注意：/PSEN：程序存储器的“读”信号/RD和/WR：数据存储器的“读”和“写”信号“片选”信号：分别按芯片的地址范围进行确定
3.数据、程序存储器混合扩展方法 程序存储器和数据存储器的混合扩展，可以按各自的 扩展方法实现，只是数据总线和地址总线共用。 注意： /PSEN：程序存储器的“读”信号 /RD和/WR：数据存储器的“读”和“写”信号 “片选”信号：分别按芯片的地址范围进行确定