皿痛嘯林m逻辑门电路 (2)对应输入波形画出输出波形 三极管截止时, IH ic≈0,o≈+5V 三极管饱和时, U CE(sat) ≈0.3V L 5 可见,该电路在输入低 电平时输出高电平,输入高0.3 电平时输出低电平,因此构O 成三极管非门。由于输出信 号与输入信号反相,故又称 三极管反相器。 EXIT
EXIT 逻辑门电路 (2) 对应输入波形画出输出波形 O uI t UIH UIL 可见，该电路在输入低 电平时输出高电平，输入高 电平时输出低电平，因此构 成三极管非门。由于输出信 号与输入信号反相，故又称 三极管反相器。 三极管截止时， iC 0，uO +5 V 三极管饱和时， uO UCE(sat) 0.3 V O uO/V t 5 0. 3
皿痛嘯林m逻辑门电路 二、三极管的动态开关特性 IH l1从Ul负跳到时Un, 极管不能很快由饱和转变 为截止,而需要经过一段时 间才能退出饱和区。 1从Ul正跳到Um时, C(sat) 极管将由截止转变为饱和, ic从0逐渐增大到 IC(sat),uc 0 从ec逐渐减小为Ueao CC 上例中三极管反相 的工作波形是理想波 形,实际波形为: Ce(sat) t EXIT
EXIT 逻辑门电路 IC(sat) O O O uI iC uO t t t UIH UIL VCC UCE(sat) 上例中三极管反相 器的工作波形是理想波 形，实际波形为： uI 从 UIL 正跳到 UIH 时， 三极管将由截止转变为饱和， iC 从 0 逐渐增大到IC(sat)，uC 从 VCC 逐渐减小为UCE(sat)。 uI 从 UIH 负跳到时 UIL， 三极管不能很快由饱和转变 为截止，而需要经过一段时 间才能退出饱和区。 二、三极管的动态开关特性
皿痛嘯林m逻辑门电路 二、三极管的动态开关特性 IH 1正跳变到上升到 0.9c(s所需的时间t称 为三极管开通时间 1负跳变到ic下降到 演0.9 C(sat) 0lcs所需的时间称 为三极管关断时间。通常 C(sat) 稿0.1lo C(sat) ff on 开关时间主要由于电 0 荷存储效应引起,要提高 CC 开关速度,必须降低三极 管饱和深度,加速基区存 储电荷的消散。 Ce(sat) t KDEXIT
EXIT 逻辑门电路 IC(sat) O O O uI iC uO t t t UIH UIL VCC UCE(sat) 0.9IC(sat) ton 0.1IC(sat) toff uI 正跳变到iC 上升到 0.9IC(sat) 所需的时间ton 称 为三极管开通时间。 通常工作频率不高时， 可忽略开关时间，而工作 频率高时，必须考虑开关 速度是否合适，否则导致 不能正常工作。 uI 负跳变到iC 下降到 0.1IC(sat) 所需的时间toff 称 为三极管关断时间。通常 toff > ton 二、三极管的动态开关特性 开关时间主要由于电 荷存储效应引起，要提高 开关速度，必须降低三极 管饱和深度，加速基区存 储电荷的消散
皿痛嘯林m逻辑门电路 三、抗饱和三极管简介 C C SBD B B E E 抗饱和三极管的开关速度高 ①没有电荷存储效应 ②SBD的导通电压只有0.4V而非0.7V, 因此UBc=0.4V时,SBD便导通,使 BC钳在0.4v上,降低了饱和深度。 EXIT
EXIT 逻辑门电路 C E B SBD B C E 在普通三极管的基极和集电极之间并 接一个肖特基势垒二极管(简称SBD) 。 B C SBD 抗饱和三极管的开关速度高 ① 没有电荷存储效应 ② SBD 的导通电压只有 0.4 V 而非 0.7 V， 因此 UBC = 0.4 V 时，SBD 便导通，使 UBC 钳在 0.4 V 上，降低了饱和深度。 三、抗饱和三极管简介
皿痛嘯林m逻辑门电路 33TTL集成逻辑门 主要要求: 日了解TTL与非门的组成和工作原理 安四掌握TTL基本门的逻辑功能和主要外特性。 了解集电极开路门和三态门的逻辑功能和应用 了解TTL集成逻辑门的主要参数和使用常识 EXIT
EXIT 逻辑门电路 主要要求： 了解 TTL 与非门的组成和工作原理。 了解 TTL 集成逻辑门的主要参数和使用常识。 3.3 TTL 集成逻辑门 掌握 TTL 基本门的逻辑功能和主要外特性。 了解集电极开路门和三态门的逻辑功能和应用