372单极放大电路的高频响应 1.BJT的高频小信号建模 ①模型的引出 rb-基区的体电阻,b'是 假想的基区内的一个点。 rbe-发射结电阻r归算到 基极回路的电阻 NPN Cbe--发射结电容 rbc--集电结电阻 bc--集电结电容 BJT的高频小信号模型 i 互导gm △ HOME BACK NEXT
3.7.2 单极放大电路的高频响应 1. BJT的高频小信号建模 ①模型的引出 rb'e---发射结电阻re归算到 基极回路的电阻 Cbe ---发射结电容 rbc ---集电结电阻 Cbc ---集电结电容 rbb' ---基区的体电阻，b'是 假想的基区内的一个点。 互导 CE CE B E C B E C m V V v i v i g = =
3.72单极放大电路的高频响应 1.BJT的高频小信号建模 ②模型简化 Do b b 忽略;。和 混合型高频小信号模型 令 图375RJT的高频小信号建模的过程 HOME BACK NEXT
3.7.2 单极放大电路的高频响应 1. BJT的高频小信号建模 ②模型简化 混合型高频小信号模型 b c ce 忽略r 和r
单级高)1.BJT的高频小信号建模 频响应 ③模型参数的获得(与H参数的关系) 低频时,混合∏模型与H参数模型等效 e 又re=+(1+B)r=r+(1+B) E 所以5=(1+B b E b e gave gnV 又因为「。=。%“c令 8m/be= Blb B 所以gm ≈E 图375BJT的高频小信号模型 BJT的低频小信号模型 b'e g1 b'e 2 b和fr从手册中查出 HOME BACK NEXT
3.7.2 单级高 频响应 又因为 所以 ③模型参数的获得 （与H参数的关系） 1. BJT的高频小信号建模 低频时，混合模型与H参数模型等效 be = bb + be r r r be = b be V I r m b e b g V I = 所以 又 rbe= rb + (1+ ) re E T b (1 ) I V = r + + E T b e (1 ) I V r = + bb = be − be r r r T m b e 2 f g C = Cbc 和 f T 从手册中查出 T E b e m V I r g =