3.1半导体三极管(BJm) 3.1.1BJT的结构简介 3.1.2BJT的电流分配与放大原理 3.1.3BJT的特性曲线 3.1.4BJT的主要参数 HOME
3.1.1 BJT的结构简介 3.1 半导体三极管（BJT） 3.1.2 BJT的电流分配与放大原理 3.1.3 BJT的特性曲线 3.1.4 BJT的主要参数
31.1BJT的结构简介 业三极管的结构集电极,用C或c。它有 发射极" 表示( 三极管符号 两种类型的三极管 HOME BACK NEXT
3.1.1 BJT的结构简介 半导体三极管的结构示意图如图03.1.01所示。它有 两种类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管 发射结(Je) 基极，用 集电结(Jc) B或b表示（Base） 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 发射区 集电区 基区 三极管符号
结构特点: 发射区的掺杂浓度最高; 集电区掺杂浓度低于发射区,且面积大; 基区很薄,一般在几个微米至几十个微米,且 掺杂浓度最低。 NPN型 P N 管芯结构剖面图 HOME BACK NEXT
结构特点： • 发射区的掺杂浓度最高； • 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； • 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且 掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图
以上看出,三极管内有两种载流子 (自由电子和空穴)参与导电,故称为双 极型三极管。或BJT( Bipolar junction Transistor) 1.内部载流子的传输过程 发射区:发射载流子 集电区:收集载流子 C 基区:传送和控制载流子 l BO (以NPN为例) °lB=4-{abI-+a0 l… f=1B+Io 载流子的传输过程 HOME BACK NEXT
3.1.2 BJT的电流分配与放大原理 1. 内部载流子的传输过程 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通 过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 （以NPN为例） 载流子的传输过程 以上看出，三极管内有两种载流子 (自由电子和空穴)参与导电，故称为双 极型三极管。或BJT(Bipolar Junction Transistor)
2.电流分配关系 根据传输过程可知I=l3+lCIC=lnc+ IcBO I=lg-lcBo 设a 传输到集电极的电沉 发射极注入电流 即a NP N E 通常 CBO 电曲自自 e C 则有 C≈-C 一m E a为电流放大系数, :l=4-4oh,础m 它只与管子的结构尺寸和 l…岬 掺杂浓度有关,与外加电 f-B+I 压无关。一般a=0.9~0.99 载流子的传输过程 HOME BACK NEXT
2. 电流分配关系 发射极注入电流 传输到集电极的电流 设 = E nC I I 即 = 根据传输过程可知 IC= InC+ ICBO IB= IB’ - ICBO 通常 IC >> ICBO E C I I 则有 为电流放大系数， 它只与管子的结构尺寸和 掺杂浓度有关，与外加电 压无关。一般 = 0.90.99 IE =IB+ IC 载流子的传输过程