二、正电子湮灭探测毁术 正电子寿命测量技术 多普勒展宽测量技术 二维角关联技术 寿命-动量关联测量技术 3Y测量技术 寿命-幅度关联测量技术 ■慢束 正电子衍射技术 PAES 微束
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正电子技术应用 口半导 口纳米材料 口超导体 一多物 口巨磁阻 口薄膜 口界面 口多孔材料 口量子点
正电子技术的优越性 各种电镜、卢瑟福背散射、中子衍射、深能 级瞬发谱、二次离子谱等，虽然各自给出了许 多有价值的结果，但这些方法基本上不能给出 原子尺度局域缺陷及微观物相变化的信息，并 且多为破坏性测量或造成较大的辐照损伤。 正电子技术是神无损和高灵敏的探测技术， 对复杂材料的分析具有湿的优越性。正电子 探针已在基础研究中发挥字巨大的作用，广泛 地应用于研究凝聚态材料、介孔材料、半导体 和超导体、纳米材料、高聚物化学、量子信息 等学科，同时也在工业方面有着巨大的应用潜 力，受到各国科学接和工业界的重视
正电子技术的优越性 对缺陷及原子尺度的微结构变化极为灵敏； 无损探测； 图获测文实表画》个做子层）的物理化学 信息； 探测物体内部局域电色度及动量分布； 正电子是电子的反粒子，容易与电子分辨，又 可形成电子偶素； 慢正电子技术具有能量可调性，因而可获得 缺陷或结构不均匀性沿样品深度的分布
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正电子技术与其它技术 10 STM/AF M S TM/AF M 10 BZIS 100 04 口时 TEM 10 ns 01 XRS TEM XRS 100 100 10 0.1 sitron Spec roscopy sitron Spectroscopy 0.1110100110100110 0.11101001 10100110 nm m mm ■1 HIl 1uil Depth Depth OM:Optical Microscopy nS:neutron Scattering TEM:Transmission Electron Microscopy XRS:X-Ray Scattering STM:Scanning Tunneling Microscopy AFM:Atomic Force Microscopy