y2.特征尺寸( Feature size)/( Critical dimension) 特征尺寸定义为器件中最小线条宽度(对MOS器件 而言,通常指器件栅电极所决定的沟道几何长度) 也可定义为最小线条宽度与线条间距之和的一半。 减小特征尺寸是提高集成度、改进器件性能的关键。 特征尺寸的减小主要取决于光刻技术的改进。集成 电路的特征尺寸向深亚微米发展,目前的规模化生 产是018m、0.15μm、0.13μm、90nm工艺, Inte目前将大部分芯片生产制成转换到65nm。下 图自左到方给出的是宽度从4pm70nm按比例画出 的线条。由此,我们对特征尺寸的按比例缩小有 个直观的印象 4 23 0.5n0.25nO.1m7 特征尺寸从4m-70nm的成比例减少的线条2
26 2. 特征尺寸 (Feature Size) / （Critical Dimension） 特征尺寸定义为器件中最小线条宽度(对MOS器件 而言，通常指器件栅电极所决定的沟道几何长度)， 也可定义为最小线条宽度与线条间距之和的一半。 减小特征尺寸是提高集成度、改进器件性能的关键。 特征尺寸的减小主要取决于光刻技术的改进。集成 电路的特征尺寸向深亚微米发展，目前的规模化生 产是0.18μm、0.15 μm 、0.13μm、90nm工艺， Intel目前将大部分芯片生产制成转换到65nm 。下 图自左到方给出的是宽度从4μm~70nm按比例画出 的线条。由此，我们对特征尺寸的按比例缩小有一 个直观的印象。 特征尺寸从4μm~70nm的成比例减少的线条
UESTC 3.晶片直径( Wafer diameter)为了提高集 成度,可适当增大芯片面积。然而,芯片面积 的增大导致每个圆片内包含的芯片数减少,从 而使生产效率降低,成本高。采用更大直径的 晶片可解决这一问题。晶圆的尺寸增加,当前 的主流晶圆的尺寸为8吋,正在向12吋晶圆迈进。 下图自左到右给出的是从2时~12吋按比例画出 的圆。由此,我们对晶圆尺寸的增加有一个直观的印 象 尺寸从2时~1时成比例增加的晶圆
27 3. 晶片直径(Wafer Diameter) 为了提高集 成度，可适当增大芯片面积。然而，芯片面积 的增大导致每个圆片内包含的芯片数减少，从 而使生产效率降低，成本高。采用更大直径的 晶片可解决这一问题。晶圆的尺寸增加，当前 的主流晶圆的尺寸为8吋，正在向12吋晶圆迈进。 下图自左到右给出的是从2吋～12吋按比例画出 的圆。由此，我们对晶圆尺寸的增加有一个直观的印 象。 尺寸从2吋～12吋成比例增加的晶圆
UESTC 通过下图以人的脸面相对照,我们 可以对一个12时晶圆的大小建立一个直 观的印象 个12时晶圆与人脸大小的对比
28 通过下图以人的脸面相对照，我们 可以对一个12吋晶圆的大小建立一个直 观的印象。 一个12吋晶圆与人脸大小的对比
UESTC 4.芯片面积( Chip area)随着集成度的提高,每 芯片所包含的晶体管数不断增多,平均芯片面积也 随之增大。芯片面积的增大也带来一系列新的问题。 如大芯片封装技术、成品率以及由于每个大圆片所 含芯片数减少而引起的生产效率降低等。但后一问 题可通过增大晶片直径来解决。 5.封装( Package)IC的封装最初采用插孔封装 THP( (through- hole package形式。为适应电子设备 高密度组装的要求,表面安装封装SMP技术迅速 发展起来。在电子设备中使用SMP的优点是能节省 空间、改进性能和降低成本,因SMP不仅体积小而 且可安装在印制电路板的两面,使电路板的费用降 低60%,并使性能得到改进
29 4. 芯片面积(Chip Area) 随着集成度的提高，每 芯片所包含的晶体管数不断增多，平均芯片面积也 随之增大。芯片面积的增大也带来一系列新的问题。 如大芯片封装技术、成品率以及由于每个大圆片所 含芯片数减少而引起的生产效率降低等。但后一问 题可通过增大晶片直径来解决。 5. 封装(Package) IC的封装最初采用插孔封装 THP (through-hole package)形式。为适应电子设备 高密度组装的要求，表面安装封装(SMP)技术迅速 发展起来。在电子设备中使用SMP的优点是能节省 空间、改进性能和降低成本，因SMP不仅体积小而 且可安装在印制电路板的两面，使电路板的费用降 低60％，并使性能得到改进
COproduction Process flow IC制造有以下5个过程 硅晶圆片晶圆处理制程 晶圆片多探针 测试,坏的芯 片打标记 布满芯片的硅晶圆片 打字、最后测试 封装
30 Production Process Flow 晶圆片多探针 测试，坏的芯 片打标记 IC制造有以下5个过程 硅晶圆片 晶圆处理制程 打字、最后测试 封装 布满芯片的硅晶圆片