基本存储电路 A 00 0.31 A A 行地址译码器 31 31.0 31,31 0 R/W控制 数据输入 Y(列)地址译码及IO控制 数据输出 As AAA 6 7 图45双译码结构示意图
A0 A1 A2 A3 A4 X0 X31 ... W0,0 W31,0 W0,31 W31,31 Y0 Y31 基本存储电路 R/W控制 Y(列)地址译码及I/O控制 数据输入 数据输出 A5 A6 A7 A8 A9 … X (行) 地 址 译 码 器 图4.5 双译码结构示意图
单译码方式主要用于容量 小的存储器,双译码方式可大 大减少译码输出选择线的数目, 适用于大容量的存储器
3.地址寄存器 用于存放CPU访问存储单元的地址,经译码 驱动后指向相应的存储单元。 4.读写电路 包括读出放大器、写入电路和读/写控制电路 用以完成对被选中单元中各位的读出或写入操作 ■■■■■日■口口■■■日口■■■口■■■口■■■■■■
5.数据寄存器 ■"""""""""""""""""""""""""""""" 用于暂时存放从存储单元读出的数据,或从 CPU或IO端口送出的要写入存储器的数据 6.控制逻辑 “"“"“""“"""""“""“"“""“"“"““"“"“"“"“"“"“““"“"““"“““"“"“““"“""““ 接收来自CPU的启动、片选、读/及清除命 令,经控制电路综合和处理后,产生一组时序信 号来控制存储器的读/写操作
三、半导体存锋器芯片的主要技术指标 1.存储容量(存放二进制信息的总位数) 存储容量=存储单元个数×每个存储单元的位数 常用单位:MB、GB、TB 其中:1kB=210B lM=210kB=220B lGB=210MB=230B1TB=210GB=240B
三、半导体存储器芯片的主要技术指标 1. 存储容量（存放二进制信息的总位数） 存储容量=存储单元个数×每个存储单元的位数 常用单位：MB、GB、TB 其中：1kB=210B 1M=210kB=220B 1GB=210MB=230B 1TB=210GB=240B