6 读写存储器RAM 组成单元速度集成度 应用 sRAM触发器快 小容量系统 DRAM极间电容慢 低高 大容量系统 NRAM带微型电池慢低小容量非易失
6 读写存储器RAM 组成单元 速度 集成度 应用 SRAM 触发器 快 低 小容量系统 DRAM 极间电容 慢 高 大容量系统 NVRAM 带微型电池 慢 低 小容量非易失
只读存储器ROM ■掩膜RoM:信息制作在芯片中,不可更改 PRoM:允许一次编程,此后不可更改 ■ EPROM:用紫外光擦除,擦除后可编程; 并允许用户多次擦除和编程 EEPROM(E2PRoM):采用加电方法在 线进行擦除和编程,也可多次擦写 Flash memory(闪存):能够快速擦写的 EEPROM,但只能按块( Block)擦除
7 只读存储器ROM ◼ 掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改 ◼ PROM：允许一次编程，此后不可更改 ◼ EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程； 并允许用户多次擦除和编程 ◼ EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在 线进行擦除和编程，也可多次擦写 ◼ Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的 EEPROM，但只能按块（Block）擦除
8 2.2.3半导体存储器芯片的结构 ①存储体 ■存储器芯片的主要部分,用来存储信息 ②地址译码电路 ■根据输入的地址编码来选中芯片内某个特 定的存储单元 ③片选和读写控制逻辑 ■选中存储芯片,控制读写操作
8 2.2.3 半导体存储器芯片的结构 地 址 寄 存 地 址 译 码 存储体 控制电路 AB 数 据 寄 存 读 写 电 路 DB OE WE CS ① 存储体 ◼ 存储器芯片的主要部分，用来存储信息 ② 地址译码电路 ◼ 根据输入的地址编码来选中芯片内某个特 定的存储单元 ③ 片选和读写控制逻辑 ◼ 选中存储芯片，控制读写操作
①存储体 开例 每个存储单元具有一个唯一的地址, 可存储1位(位片结构)或多位(字片 结构)二进制数据 ■存储容量与地址、数据线个数有关: 芯片的存储容量=2M×N 存储单元数×存储单元的位数 M:芯片的地址线根数 N:芯片的数据线根数
9 ① 存储体 ◼ 每个存储单元具有一个唯一的地址， 可存储1位（位片结构）或多位（字片 结构）二进制数据 ◼ 存储容量与地址、数据线个数有关： 芯片的存储容量＝2M×N ＝存储单元数×存储单元的位数 M：芯片的地址线根数 N：芯片的数据线根数 示例
10 ②地址译码电路 0 0 1单译码结构 AAAAAA 543210 译双译码结构 码 双译码可简化芯片设计 器 6 n主要采用的译码结构 63 单译码双谇码
10 ② 地址译码电路 译 码 器 A5 A4 A3 A2 A1 A0 63 0 1 存储单元 64个单元 行 译 码 A2 A1 A0 7 1 0 列译码 A3A4A5 0 1 7 64个单元 单译码 双译码 ◼ 单译码结构 ◼ 双译码结构 ◼ 双译码可简化芯片设计 ◼ 主要采用的译码结构