外光电效应与内光电效应 外光电效应器件:基于光电子发射效应的器件 在吸收了大于红外波长的光子能量后器件材料 中的电子逸出材料表面 内光电效应器件:基于光电导、光伏特、光电 磁效应的器件,在吸收了大于红外波长的光子 能量后器件材料中出现光生自由电子和空穴
外光电效应与内光电效应 ◼ 外光电效应器件：基于光电子发射效应的器件 在吸收了大于红外波长的光子能量后器件材料 中的电子逸出材料表面； ◼ 内光电效应器件：基于光电导、光伏特、光电 磁效应的器件，在吸收了大于红外波长的光子 能量后器件材料中出现光生自由电子和空穴
光子探测器: A.光电子发射效应 B.光电导效应; C.光生伏特效应; D.光电磁效应
光子探测器： A. 光电子发射效应； B. 光电导效应； C. 光生伏特效应； D. 光电磁效应
A光电子发射探测器 1.红限:光子能量大于电子逸出能; 2.分类:真空光电管(响应较快)、充气光电管 光电倍增管(带有电子倍增系统的真空光电管) 应用波段:主要在可见光区域,最长波长1.25 微米
A 光电子发射探测器 1. 红限：光子能量大于电子逸出能； 2. 分类：真空光电管(响应较快)、充气光电管、 光电倍增管(带有电子倍增系统的真空光电管)。 3. 应用波段：主要在可见光区域，最长波长1.25 微米
B光电导探测器 机制:入射光子与半导体中的束缚电子作用, 产生电子空穴对(本征光电导)、自由电子(非本 征光电导n型)或空穴(非本征光电导p型),从 而使电导增大。 红限:光子能量大于禁带宽度。 特点:主要用作光敏电阻,响应慢,适用于直 流和低频光探测。本征半导体的禁带宽度较大, 掺杂半导体的禁带宽度较小 4.应用波段:主要在可见光和红外区域
B 光电导探测器 1. 机制：入射光子与半导体中的束缚电子作用， 产生电子空穴对(本征光电导)、自由电子(非本 征光电导n型)或空穴(非本征光电导p型) ，从 而使电导增大。 2. 红限：光子能量大于禁带宽度。 3. 特点：主要用作光敏电阻，响应慢，适用于直 流和低频光探测。本征半导体的禁带宽度较大， 掺杂半导体的禁带宽度较小。 4. 应用波段：主要在可见光和红外区域
本征半导体的禁带宽度与红限 半导体作温度7(K)禁带宽度E(eV)红限入pm) CdS 295 2.4 0.52 CdSe 295 0.62 CdTe 295 0.83 GaP 0.56 295 0.92 295 1.12 1.8 Pbs 295 0.42 2.9 PbSe 295 0.23 5.4 Inas 295 0.39 295 0.23 Pno. 2 77 12 Hgo2 Cdo 3 te 77 12
本征半导体的禁带宽度与红限 半导体 工作温度T(K) 禁带宽度Eg (eV) 红限λ0 (μm) CdS 295 2.4 0.52 CdSe 295 1.8 0.62 CdTe 295 1.50 0.83 GaP 295 2.24 0.56 GaAs 295 1.35 0.92 Si 295 1.12 1.1 Ge 295 0.67 1.8 PbS 295 0.42 2.9 PbSe 295 0.23 5.4 InAs 295 0.39 3.2 InSb 295 0.23 5.4 Pn0.2 Sn0.3 Te 77 0.1 12 Hg0.2 Cd0.3 Te 77 0.1 12