通常对一个静态RAM芯片,有一组地址输入 端,地址线的条数决定了该芯片的存储单元个数。 有一组数据线,共用数据线输入(或输出)数据 线的条数决定每个存储单元的位数。 K单元的内存用10根地址线:210=1024 举例:16单元的SRAM原理,24=16 常用SRAM芯片:2114K×4位)、4118(1K×8位)、 6116(2K×4位)、6264(8K×8位)、62128(16K×8位) 62256(32K×8位)等
通常对一个静态RAM芯片，有一组地址输入 端， 地址线的条数决定了该芯片的存储单元个数。 有一组数据线，共用数据线输入(或输出)数据 线的条数决定每个存储单元的位数。 常用SRAM芯片: 2114(1K×4位)、 4118(1K×8位)、 6116(2K×4位)、6264(8K×8位)、62128（16K × 8位）， 62256（ 32K×8位）等。 •1K 单元的内存用10根地址线：2 10＝1024 •举例：16单元的SRAM 原理， 2 4＝16
24Hvcc 23A 22 :片选信号:低电平有效 WE:写允许信号 20亚EOE:输出允许信号 19Ay10 A 2345678901 18L 111 GND D 2K*8=16Kbit 6116
：片选信号：低电平有效 ：写允许信号 ： 输出允许信号 2K*8=16Kbit CSWEOE
2114A hvEe A As A As I/0; I/0%z A? I/0 cs I/0 GND 10R / 1K*4=4bit
1K*4=4Kbit