813牛导体存储器的性能指标 、存储容量 存储容量是指存储器可以存储的二进制信息量, 以位为单位。 般是以能存储的字数乘以字长表示的。即 存储容量=单元数×数据线的位数 数据线的位数:1,2,4,8位 例如:Inel2114芯片容量=1K×4位=4Kbit Intel6264芯片容量=8K×8位=64Kbit
8.1.3 半导体存储器的性能指标 一、存储容量 存储容量是指存储器可以存储的二进制信息量， 以位为单位。 它一般是以能存储的字数乘以字长表示的。即 存储容量=单元数×数据线的位数 例如：Intel 2114 芯片容量＝1K× 4位＝4K bit Intel 6264 芯片容量＝8K×8位＝64K bit • 数据线的位数：1, 2, 4, 8 位
二、最大存取时间 指从CPU给出有效的存储器地址到存储器给出有 效数据所需的时间 功耗 四、电源
二、最大存取时间 指从CPU给出有效的存储器地址到存储器给出有 效数据所需的时间。 三、功耗 四、电源
四、静态RAM(SRAM) 1.存储单元的内部结构
四、静态RAM（SRAM） 1. 存储单元的内部结构
X行地 址选择 5 读出放 CS+R/W 大器 行地 读出 址选 写入 择线 CS+R/W SRAM存储单元的结构
“1” “1” SRAM存储单元的结构
利用基本存储电路排成阵列,再加上地址译码电路 和读写控制电路就可以构成读写存储器 列 译 码 电 行线 线 线 行 行线 山++ 13 2·行绲 o 4 路B3“行线 什西什 , R2T早 数据线 Cs 控制 图7316×1静态RAM原理图
利用基本存储电路排成阵列，再加上地址译码电路 和读写控制电路就可以构成读写存储器