第7章80C51并行扩展技术 本章要点 ◇并行扩展总线组成(地址、数据、控制总线) ◇并行扩展寻址方式(线选法、译码法) 并行扩展 EPROM 并行扩展 E2PROM 今并行扩展RAM 用74系列芯片并行扩展I/0口 扩展总线驱动能力
第7章 80C51并行扩展技术 本章要点 ❖ 并行扩展总线组成(地址、数据、控制总线) ❖ 并行扩展寻址方式（线选法、译码法） ❖ 并行扩展EPROM ❖ 并行扩展E 2PROM ❖ 并行扩展RAM ❖ 用74系列芯片并行扩展I/O口 ❖ 扩展总线驱动能力
80C51系列单片机有很强的外部扩展能力。 外部扩展可分为并行扩展和串行扩展两大形式。 早期的单片机应用系统以采用并行扩展为多 近期的单片机应用系统以采用串行扩展为多。 外部扩展的器件可以有ROM、RAM、I/0口和 其他一些功能器件,扩展器件大多是一些常规芯 片,有典型的扩展应用电路,可根据规范化电路 来构成能满足要求的应用系统
80C51系列单片机有很强的外部扩展能力。 外部扩展可分为并行扩展和串行扩展两大形式。 早期的单片机应用系统以采用并行扩展为多， 近期的单片机应用系统以采用串行扩展为多。 外部扩展的器件可以有ROM、RAM、I/O口和 其他一些功能器件，扩展器件大多是一些常规芯 片，有典型的扩展应用电路，可根据规范化电路 来构成能满足要求的应用系统
§7-1并行扩展概述 并行扩展连接方式 1、并行扩展总线组成 (1)数据传送:由数据总线DB(D0~D7)完成; D0~D7由P0口提供 (2)单元寻址:由地址总线AB(A0~A15)完成; 氐8位地址线A0~A7由PO口提供 高8位地址线A8~A15由P2口提供 (3)交互握手:由控制总线CB完成。 控制线有PSEN、W、RD、ALE、EA 2、并行扩展容量 可分别扩展64 KB ROM(包括片内ROM)和64KB外RAM
§7-1 并行扩展概述 一、并行扩展连接方式 1、并行扩展总线组成 ⑴ 数据传送:由数据总线DB（D0～D7）完成； D0～D7由P0口提供 ⑵ 单元寻址:由地址总线AB（A0～A15）完成； 低8位地址线A0～A7由P0口提供 高8位地址线A8～A15由P2口提供。 ⑶ 交互握手:由控制总线CB完成。 控制线有PSEN、WR、RD、ALE、EA 2、并行扩展容量 可分别扩展64KB ROM（包括片内ROM）和64KB外RAM
8 P2 A8~A15 地址锁存器 ALE G Q0-Q7 8 A0~A7 80C51 D0~D7 并行扩展器件 PO 8 D0~D7 PSEN OE WR WE RD OE P2.X CE 并行扩展连接方式示意图
80C51控制总线,有以下几条: ①ALE:输出,用于锁存P0口输出的低8位地址信号 与地址锁存器门控端G连接 ②PSEN:输出,用于外ROM读选通控制,与外ROM输出 允许端OE连接。 ③EA:输入,用于选择读内/外ROM。EA=1,读内ROM; EA=0,读外ROM。一般情况下,有并且使用内ROM时, EA接Vcc;无内ROM或仅使用外ROM时,EA接地。 ④R:输出,用于读外RAM选通,执行M0W读指令时, RD会自动有效,与外RAM读允许端OE连接。 ⑤W:输出,用于写外RAM选通,执行M0VX写指令时, WR会自动有效,与外RAM写允许端W连接。 ⑥P2.X:并行扩展外RAM和I/0时,通常需要片选控制, 般由P2口高位地址线担任
⑤ WR：输出，用于写外RAM选通，执行MOVX写指令时， WR会自动有效，与外RAM写允许端WE连接。 80C51控制总线，有以下几条： ① ALE：输出，用于锁存P0口输出的低8位地址信号， 与地址锁存器门控端G连接。 ② PSEN：输出，用于外ROM读选通控制，与外ROM输出 允许端OE连接。 ③ EA：输入，用于选择读内/外ROM。EA=1，读内ROM； EA=0，读外ROM。一般情况下，有并且使用内ROM时， EA接Vcc；无内ROM或仅使用外ROM时，EA接地。 ④ RD：输出，用于读外RAM选通，执行MOVX读指令时， RD会自动有效，与外RAM读允许端OE连接。 ⑥ P2.X：并行扩展外RAM和I/O时，通常需要片选控制， 一般由P2口高位地址线担任