tan 20 = sin 20 / cos202sin0=R/LAHKL=2sin0cos0/cos20N2dsin0=2因为，样品=R/ L(HKL)20K反球（厄瓦尔德球）KGHKLoHXLVd =R/L透射束衔射束d =L/RR荧光屏或照相底板R与L以mm计R000PHKLR电子衍射（几何分析）基本公式电子衍射基本公式的导出
电子衍射基本公式的导出 2sinθ=R/L 因为， 2dsinθ=λ λ/d =R/L d =λL/R R与L以mm计 电子衍射（几何分析）基本公式 tan 2 sin 2 / cos 2 2sin cos / cos 2 R / L S D U T
dHKLNAKIL样品d =aL/R(HKL)20K当加速电压一定时，电反球（厄瓦尔德球）KGHKL子波长入值恒定，则入LOgHXL为常数，称为相机常数。遗射束衔射束Rd =CR荧光屏或照相底板3000HKLR =C/dR日很小，倒易矢量/ /R矢量R=Cg电子衍射基本公式的导出
d =λL/R 当加速电压一定时，电 子波长λ值恒定，则λL 为常数，称为相机常数。 Rd =C 电子衍射基本公式的导出 R =C/d R =C g θ很小，倒易矢量 //R矢量。 S D U T
二、电子衍射花样特征单晶样品电子衍射花样：规则的衍射斑点；多晶样品电子衍射花样：多个衍射圆环：无定形样品电子衍射花样：一个或两个弥散的圆环。多晶无定形单晶
◆ 单晶样品电子衍射花样:规则的衍射斑点； ◆ 多晶样品电子衍射花样:多个衍射圆环； ◆ 无定形样品电子衍射花样:一个或两个弥散的圆环。 二、电子衍射花样特征 单晶 多晶 无定形 S D U T
中6T啡常小H.K,l反射球(moHKL入射束//满足衍-HK衔射花柳射方向的晶面HK佰射花样000单晶电子衍射成像原理
单晶电子衍射成像原理 θ非常小 入射束//满足衍 射方向的晶面 S D U T
倒易点阵扩展衍射晶面位向与精确布拉格条件的允许偏差（以仍能得到衍射强度为极限）和样品品体的形状和尺寸有关，这可以用倒易阵点的扩展来表示。由于实际的样品晶体都有确定的形状和有限的尺寸，因而它们的倒易阵点不是一个儿何意义上的-211“点”，而是沿着晶体尺寸较小的方向发生扩展，扩展量为该方向上实际尺寸的倒数的2倍。对于电子显微镜中经常遇到的样品，薄片晶体的倒易阵点拉长为倒易“杆”-2ld-棒状品体为倒易“盘”，细小颗粒晶体则为倒易“球”样品晶体文倒易杆倒易阵点例易杆和爱瓦尔德球相交情况，杆子的总长为扩展（G偏离9时，倒易杆中心至与爱瓦尔德球面交截点的距离可用矢量：表示，就是馆高失量。49为正时失量为正，反之为负。精确符合布拉格条件时，49=0s也等于零0偏离布拉格条件时，产生衔射的条件可用k'-k=g+s(10-11)鲜易:143当0m时，相应的#8，5当9>.时，倒易杆不再和爱瓦尔德球相交，此时才无衍射产生。例易杆和它的强度分布
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