0院 测控电路及装置 CMOS开关电路 R Ron(P) Ron(N +E Ron(c) O 2021/2/24 6
测控电路及装置 2021/2/24 6 CMOS开关电路 ui uo uGP uGN +E -E o ui Ron Ron(C) Ron(P) Ron(N) O ui a) b)
0院 测控电路及装置 CMOS开关电路 3 uc D E DG 图6-4含辅助电路的CMOS开关电路 2021/2/24
测控电路及装置 2021/2/24 7 CMOS开关电路 u i + E u o -E DG1 1 V 4 V 3 V 4 V 3 1 1 DG2 u c - V 2 V 1 V 5 + 图6-4 含辅助电路的CMOS开关电路
0院 测控电路及装置 多路模拟开关 输入/输出 342 8 c aige 选1译码电路 IN 图6-5CD4051原理图 2021/2/24 8
测控电路及装置 2021/2/24 8 多路模拟开关 7 6 5 3 2 0 输入/输出 A B C 输出/输入 +E -E1 -E2 逻辑电平转换电路 8 选 1 译 码 电 路 16 4 2 5 1 12 15 14 13 11 10 9 6 8 7 INH S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 4 1 图6-5 CD4051 原理图
0院 测控电路及装置 TAL1 P二 PO7A0 U2 PsE PZ31A11 CTED P3DRXXD P12 3Ti P3.4/o P1了 R△八 R1 CTEX CD4051构成数字式可编程增益放大 2021/2/24 9
测控电路及装置 2021/2/24 9 CD4051构成数字式可编程增益放大器
0院 测控电路及装置 采样保持电路 ·基本性质 u2() 采样期 保持期(为发出保持命令的时刻) 捕捉时间:从发出采样指令的时刻起,直到输出值达到规定的误差范围以内 所需的时间定义为捕捉时间 孔径时间:从发出保持指令地时刻起,直到开关真正断开所需的 时间定义为关断时间。 下垂率:由于存贮电容的电荷的泄漏所引起的输出电压的变化率。 捕捉时间长,电路的跟踪特性差,孔径时间长,电路的保持特性不好,它们 限制了电路的工作速度。 2021/2/24
测控电路及装置 2021/2/24 10 采样保持电路 • 基本性质 ( ) ( ) = 保持期(t0 为发出保持命令的时刻） 0 0 u t u t u i i 采样期 捕捉时间：从发出采样指令的时刻起，直到输出值达到规定的误差范围以内 所需的时间定义为捕捉时间 孔径时间：从发出保持指令地时刻起，直到开关真正断开所需的 时间定义为关断时间。 下垂率： 由于存贮电容的电荷的泄漏所引起的输出电压的变化率。 捕捉时间长，电路的跟踪特性差，孔径时间长，电路的保持特性不好，它们 限制了电路的工作速度