济南大学：研究生院《集成电路工程》专业课程教学大纲汇编.pdf_P11-P15

《集成电路制造工艺》教学大纲课程名称集成电路制造工艺课程代码QZ061049Integrated Circuit ManufacturingProcess课程英文名称开课学时32学分2秋开课单位信息科学与工程学院学期开卷考试平时成绩占比：30%考核口学位课课程类型闭卷考试期中成绩占比：20%口非学位课方式考查期末考试占比：50%教学目的与要求《集成电路制造工艺》是集成电路专业的专业基础课程。本课程是以半导体器件、集成电路为对象，结合相关基本原理、工程实践经验与国内外标志性研究成果，从而系统性地阐述集成电路制造工艺的基本概念、原理以及方法。本课程的教学目的与要求是使学生对集成电路制造的关键技术、方法和流程形成系统全面的认识，掌握课程相关基础知识、理论和方法，了解国内外技术前沿的发展内容和方向，提高学生发现问题、解决问题的能力以及培养其创新意识，为学生后续顺利开展科研工作与工程实践打下良好基础，为国家重点行业发展提供人才支撑。教学内容与要求教学方法章节学时题目教学内容与要求与手段课程内容始终涉及半导体、芯片、集成电路等当前热点领域内容，培养学生人价值引领才可以为相关技术、产业发展提供有效支撑，契合国家重大战略发展布局。集成制造技术面授多媒第一章了解常规集成电路制造技术基础，了解2基础体教学知识传授常规PN结隔离集成电路工艺。要求掌握上述相关知识，完成课后思能力培养考、作业，培养学生的资料收集、文献阅读和关键信息提炼的能力。课程内容始终涉及半导体、芯片、集成电路等当前热点领域内容，培养学生人价值引领才可以为相关技术、产业发展提供有效支撑，契合国家重大战略发展布局。了解半导体材料的特征、属性，掌握硅硅材料及衬底面授多媒第二章材料的结构特征，了解集成电路技术发2制备体教学知识传授展与硅材料的关系，熟悉硅材料、硅衬底基片的制备过程与提纯方法。要求掌握上述相关知识，完成课后思能力培养考、作业，培养学生的资料收集、文献阅读和关键信息提炼的能力。课程内容始终涉及半导体、芯片、集成外延生长工艺面授多媒第三章价值引领电路等当前热点领域内容，培养学生人原理体教学才可以为相关技术、产业发展提供有效11

11 集成电路制造工艺 QZ061049 Integrated Circuit Manufacturing Process 32 2 秋信息科学与工程学院学位课非学位课开卷考试闭卷考试考查平时成绩占比： 30 % 期中成绩占比： 20 % 期末考试占比： 50 % 《集成电路制造工艺》是集成电路专业的专业基础课程。本课程是以半导体器件、集成电路为对象，结合相关基本原理、工程实践经验与国内外标志性研究成果，从而系统性地阐述集成电路制造工艺的基本概念、原理以及方法。本课程的是使学生对集成电路制造的关键技术、方法和流程形成系统全面的认识，掌握课程相关基础知识、理论和方法，了解国内外技术前沿的发展内容和方向，提高学生发现问题、解决问题的能力以及培养其创新意识，为学生后续顺利开展科研工作与工程实践打下良好基础，为国家重点行业发展提供人才支撑。第一章集成制造技术基础价值引领课程内容始终涉及半导体、芯片、集成电路等当前热点领域内容，培养学生人才可以为相关技术、产业发展提供有效支撑，契合国家重大战略发展布局。 2 面授多媒知识传授体教学了解常规集成电路制造技术基础，了解常规 PN 结隔离集成电路工艺。能力培养要求掌握上述相关知识，完成课后思考、作业，培养学生的资料收集、文献阅读和关键信息提炼的能力。第二章硅材料及衬底制备价值引领课程内容始终涉及半导体、芯片、集成电路等当前热点领域内容，培养学生人才可以为相关技术、产业发展提供有效支撑，契合国家重大战略发展布局。 2 面授多媒知识传授体教学了解半导体材料的特征、属性，掌握硅材料的结构特征，了解集成电路技术发展与硅材料的关系，熟悉硅材料、硅衬底基片的制备过程与提纯方法。能力培养要求掌握上述相关知识，完成课后思考、作业，培养学生的资料收集、文献阅读和关键信息提炼的能力。第三章外延生长工艺原理价值引领课程内容始终涉及半导体、芯片、集成电路等当前热点领域内容，培养学生人才可以为相关技术、产业发展提供有效 4 面授多媒体教学

支撑，契合国家重大战略发展布局。熟悉外延生长技术，了解常规硅气相外延生长过程的动力学、结晶学原理，掌知识传授握关于气相外延生长的工艺环境、条件和流程。要求掌握上述相关知识，完成课后思能力培养考、作业，培养学生的资料收集、文献阅读和关键信息提炼的能力。课程内容始终涉及半导体、芯片、集成电路等当前热点领域内容，培养学生人价值引领才可以为相关技术、产业发展提供有效支撑，契合国家重大战略发展布局。掌握二氧化硅介质膜的基本结构、主要氧化介质薄膜性质，了解二氧化硅介质膜影响杂质迁面授多媒第四章4生长移的内在机理，了解二氧化硅介质膜的体教学知识传授热生长动力学原理，了解典型热生长氧化介质膜的常规生长模式。要求掌握上述相关知识，完成课后思考、作业，培养学生的资料收集、文献能力培养阅读和关键信息提炼的能力。课程内容始终涉及半导体、芯片、集成电路等当前热点领域内容，培养学生人价值引领才可以为相关技术、产业发展提供有效支撑，契合国家重大战略发展布局。掌握固体中的热扩散现象及扩散方程，掌握常规高温热扩散的数学描述，了解知识传授面授多媒半导体的高温常规热扩散工艺，了解实际扩散行为与第五章3掺杂体教学理论分布的差异。要求掌握上述相关知识，提高数学计算能力，使用数学语言完成对物理过程的描述和求解，完成课后思考、作业，培能力培养养学生的资料收集、文献阅读和关键信息提炼的能力。课程内容始终涉及半导体、芯片、集成电路等当前热点领域内容，培养学生人价值引领才可以为相关技术、产业发展提供有效支撑，契合国家重大战略发展布局。离子注入低温面授多媒了解离子注入掺杂技术的特点，掌握离第六章4掺杂体教学知识传授子注入技术的理论，熟悉离子注入退火5的过程、设备和工艺。要求掌握上述相关知识，完成课后思考、作业，培养学生的资料收集、文献能力培养阅读和关键信息提炼的能力。12

12 支撑，契合国家重大战略发展布局。知识传授熟悉外延生长技术，了解常规硅气相外延生长过程的动力学、结晶学原理，掌握关于气相外延生长的工艺环境、条件和流程。能力培养要求掌握上述相关知识，完成课后思考、作业，培养学生的资料收集、文献阅读和关键信息提炼的能力。第四章氧化介质薄膜生长价值引领课程内容始终涉及半导体、芯片、集成电路等当前热点领域内容，培养学生人才可以为相关技术、产业发展提供有效支撑，契合国家重大战略发展布局。 4 面授多媒知识传授体教学掌握二氧化硅介质膜的基本结构、主要性质，了解二氧化硅介质膜影响杂质迁移的内在机理，了解二氧化硅介质膜的热生长动力学原理，了解典型热生长氧化介质膜的常规生长模式。能力培养要求掌握上述相关知识，完成课后思考、作业，培养学生的资料收集、文献阅读和关键信息提炼的能力。第五章半导体的高温掺杂价值引领课程内容始终涉及半导体、芯片、集成电路等当前热点领域内容，培养学生人才可以为相关技术、产业发展提供有效支撑，契合国家重大战略发展布局。 4 面授多媒体教学知识传授掌握固体中的热扩散现象及扩散方程，掌握常规高温热扩散的数学描述，了解常规热扩散工艺，了解实际扩散行为与理论分布的差异。能力培养要求掌握上述相关知识，提高数学计算能力，使用数学语言完成对物理过程的描述和求解，完成课后思考、作业，培养学生的资料收集、文献阅读和关键信息提炼的能力。第六章离子注入低温掺杂价值引领课程内容始终涉及半导体、芯片、集成电路等当前热点领域内容，培养学生人才可以为相关技术、产业发展提供有效支撑，契合国家重大战略发展布局。 4 面授多媒知识传授体教学了解离子注入掺杂技术的特点，掌握离子注入技术的理论，熟悉离子注入退火的过程、设备和工艺。能力培养要求掌握上述相关知识，完成课后思考、作业，培养学生的资料收集、文献阅读和关键信息提炼的能力

课程内容始终涉及半导体、芯片、集成电路等当前热点领域内容，培养学生人价值引领才可以为相关技术、产业发展提供有效支撑，契合国家重大战略发展布局。了解常用的几种化学气相淀积方法（常薄膜气相淀积面授多媒第七章压、低压、等离子体增强等），了解常2工艺体教学知识传授用的几种硅化物介质薄膜（二氧化硅、多晶硅、氮化硅等）。要求掌握上述相关知识，完成课后思考、作业，培养学生的资料收集、文献能力培养阅读和关键信息提炼的能力。课程内容始终涉及半导体、芯片、集成电路等当前热点领域内容，培养学生人价值引领才可以为相关技术、产业发展提供有效支撑，契合国家重大战略发展布局。图形光刻工艺面授多媒第八章2原理体教学知识传授掌握典型的光刻工艺原理、工艺流程。要求掌握上述相关知识，完成课后思考、作业，培养学生的资料收集、文献能力培养阅读和关键信息提炼的能力。课程内容始终涉及半导体、芯片、集成电路等当前热点领域内容，培养学生人价值引领才可以为相关技术、产业发展提供有效支撑，契合国家重大战略发展布局。掩膜制备工艺面授多媒第九章了解集成电路掩膜版制备，熟悉光刻掩原理体教学知识传授膜版设计和制备的基本过程。要求掌握上述相关知识，完成课后思考、作业，培养学生的资料收集、文献能力培养阅读和关键信息提炼的能力。课程内容始终涉及半导体、芯片、集成电路等当前热点领域内容，培养学生人价值引领才可以为相关技术、产业发展提供有效支撑，契合国家重大战略发展布局。超大规模集成了解当代微电子技术的飞速发展与技面授多媒第十章工艺术进步，了解典型的超深亚微米CMOS体教学知识传授制造工艺。要求掌握上述相关知识，完成课后思能力培养考、作业，培养学生的资料收集、文献阅读和关键信息提炼的能力。课程内容始终涉及半导体、芯片、集成第十一电路管芯键合电路等当前热点领域内容，培养学生人面授多媒价值引领章封装体教学才可以为相关技术、产业发展提供有效支撑，契合国家重大战略发展布局。13

13 第七章薄膜气相淀积工艺价值引领课程内容始终涉及半导体、芯片、集成电路等当前热点领域内容，培养学生人才可以为相关技术、产业发展提供有效支撑，契合国家重大战略发展布局。 2 面授多媒知识传授体教学了解常用的几种化学气相淀积方法（常压、低压、等离子体增强等），了解常用的几种硅化物介质薄膜（二氧化硅、多晶硅、氮化硅等）。能力培养要求掌握上述相关知识，完成课后思考、作业，培养学生的资料收集、文献阅读和关键信息提炼的能力。第八章图形光刻工艺原理价值引领课程内容始终涉及半导体、芯片、集成电路等当前热点领域内容，培养学生人才可以为相关技术、产业发展提供有效支撑，契合国家重大战略发展布局。 2 面授多媒知识传授掌握典型的光刻工艺原理、工艺流程。体教学能力培养要求掌握上述相关知识，完成课后思考、作业，培养学生的资料收集、文献阅读和关键信息提炼的能力。第九章掩膜制备工艺原理价值引领课程内容始终涉及半导体、芯片、集成电路等当前热点领域内容，培养学生人才可以为相关技术、产业发展提供有效支撑，契合国家重大战略发展布局。 2 面授多媒知识传授体教学了解集成电路掩膜版制备，熟悉光刻掩膜版设计和制备的基本过程。能力培养要求掌握上述相关知识，完成课后思考、作业，培养学生的资料收集、文献阅读和关键信息提炼的能力。第十章超大规模集成工艺价值引领课程内容始终涉及半导体、芯片、集成电路等当前热点领域内容，培养学生人才可以为相关技术、产业发展提供有效支撑，契合国家重大战略发展布局。 2 面授多媒知识传授体教学了解当代微电子技术的飞速发展与技术进步，了解典型的超深亚微米 CMOS 制造工艺。能力培养要求掌握上述相关知识，完成课后思考、作业，培养学生的资料收集、文献阅读和关键信息提炼的能力。第十一章电路管芯键合封装价值引领课程内容始终涉及半导体、芯片、集成电路等当前热点领域内容，培养学生人才可以为相关技术、产业发展提供有效支撑，契合国家重大战略发展布局。 2 面授多媒体教学